考题
测得某放大电路中的BJT三个电极A、B、C对地电位分别为Va=-8V，Vb=-5V，Vc=-5.2V，试判断BJT的三个电极和管型。
考题
常用的BJT具有（）作用，此时应工作在（）状态。
考题
BJT与FET管的输出电阻为（）A、均很大B、均很小C、BJT管很大，FET管较小D、BJT管很小，FET管较大
考题
若想得到最大输出功率，BJT的参数条件：通过BJT的最大集电极电流为（），所选BJT的ICM一般不宜低于此值。
考题
BJT是（）控制器件，FET是（）控制器件。
考题
当NPN型BJT的VCE＞VBE且VBE＞0.5V时，则BJT工作在（）。A、截止区B、放大区C、饱和区D、击穿区
考题
在FET的输出特性曲线中，饱和区相当于BJT输出特性曲线的（）区。而前者 的可变电阻区则对应于后者的（）区。
考题
BJT使用的关键在于驱动电路的合理设计等，在由BJT构成的通用变频器中，影响系统的可靠性的因素有（）A、BJT的过热B、BJT的欠压C、BJT的过流D、BJT的干扰
考题
测得某放大电路中的BJT三个电极A、B、C对地电位分别Va=8V，Vb=5V，Vc=5.7V，试判断BJT的三个电极和管型。
考题
BJT三极管与FET三极管相比（）A、二者输入电阻均很大B、二者输入电阻均很小C、前者的输入电阻较小，后者的输入电阻甚大D、前者的输入电阻甚大，后者的输入电阻较小
考题
在集成电路中，高阻值电阻多用BJT或FET等有源器件组成的电流源电路来代替。
考题
场效应管是（）控制器件。BJT是（）控制器件。
考题
若BJT发射结正向偏置，集电结反向偏置，则BJT处于（）状态。
考题
由FET构成的放大电路也有三种接法，与BJT的三种接法相比，共源放大器相当于（）放大器。
考题
根据共同端的不同，BJT可有三种连接方式：（）、（）和（）接法。
考题
两个电流放大系数分别为β1和β2的BJT复合，其复合管的β值约为（）
考题
在集成电路中，高阻值电阻多用BJT或FET等有源器件组成的（）电路来代替。
考题
MOS场效应管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
考题
问答题测得某放大电路中的BJT三个电极A、B、C对地电位分别为Va=-8V，Vb=-5V，Vc=-5.2V，试判断BJT的三个电极和管型。
考题
问答题双极晶体管（BJT）的双极是什么意思？BJT有哪几种类型？BJT主要应用在哪些方面？
考题
单选题BJT与FET管的输出电阻为（）A
均很大B
均很小C
BJT管很大，FET管较小D
BJT管很小，FET管较大
考题
单选题BJT三极管与FET三极管相比（）A
二者输入电阻均很大B
二者输入电阻均很小C
前者的输入电阻较小，后者的输入电阻甚大D
前者的输入电阻甚大，后者的输入电阻较小
考题
单选题MOS场效应管的英语缩写是（）。A
“IGBT”B
“BJT”C
“GTO”D
“MOSFET”