网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)

4、退火孪晶出现的几率与晶体的层错能的关系为 。

A.(A)无关,只与退火温度和时间有关

B.(B)层错能低的晶体出现退火孪晶的几率高

C.(C)层错能高的晶体出现退火孪晶的几率高

D.(D)都不对


参考答案和解析
( B )层错能低的晶体出现退火孪晶的几率高
更多 “4、退火孪晶出现的几率与晶体的层错能的关系为 。A.(A)无关,只与退火温度和时间有关B.(B)层错能低的晶体出现退火孪晶的几率高C.(C)层错能高的晶体出现退火孪晶的几率高D.(D)都不对” 相关考题
考题 退火孪晶属于( )。 A、 自然孪晶B、机械孪晶

考题 实践证明,多晶体金属不论发生滑移、孪晶还是晶间变形,只有切应力达到临界值时才有实现的可能。() 此题为判断题(对,错)。

考题 上、下贝氏体的亚结构是()A、孪晶B、位错C、孪晶+位错D、亚共晶

考题 下列属于面缺陷的是()。A、晶体外表面B、线缺陷C、晶粒边界D、孪晶界

考题 晶体外表面、晶粒边界、孪晶界等属于面缺陷。()

考题 金属单晶体的塑性变形方式为()。 A、滑移B、孪晶C、位错D、A或B

考题 实际金属晶体的塑性变形方式为()。 A、滑移B、孪晶C、蠕变D、滑移+孪晶

考题 上、下贝氏体的亚结构是()A、孪晶,B、位错,C、孪晶+位错

考题 下贝氏体、回火位错马氏体、回火孪晶马氏体三种组织的断裂韧性由大到小的顺序为()A、下贝氏体>M位错>M孪晶,B、M位错>M孪晶>下贝氏体,C、M位错>下贝氏体>M孪晶

考题 下贝氏体、回火位错马氏体、回火孪晶马氏体三种组织的断裂韧性由大到小的顺序为()A、下贝氏体>M位错>M孪晶B、M位错>M孪晶>下贝氏体C、M位错>下贝氏体>M孪晶D、M位错=下贝氏体=M孪晶

考题 晶体宏观长大方式包括()A、螺旋位错生长B、平面方式生长C、反射孪晶生长D、旋转孪晶生长

考题 晶体从缺陷处生长的种类不包括()A、螺旋位错生长B、旋转孪晶生长C、反射孪晶生长D、平行位错生长

考题 根据构成能障的界面情况的不同,形核方式包括()A、螺旋位错生长B、旋转孪晶生长C、反射孪晶生长D、均质形核

考题 FCC、BCC、HCP三种晶体结构中,塑性变形时最容易生成孪晶的是()。

考题 晶体从缺陷处生长的种类包括()A、螺旋位错生长B、旋转孪晶生长C、反射孪晶生长D、平行位错生长

考题 退火孪晶

考题 晶体宏观长大方式不包括()A、螺旋位错生长B、旋转孪晶生长C、反射孪晶生长D、树枝晶方式生长

考题 填空题FCC、BCC、HCP三种晶体结构中,塑性变形时最容易生成孪晶的是()。

考题 单选题晶体从缺陷处生长的种类不包括()A 螺旋位错生长B 旋转孪晶生长C 反射孪晶生长D 平行位错生长

考题 单选题晶体宏观长大方式包括()A 树枝晶方式生长B 旋转孪晶生长C 反射孪晶生长D 螺旋位错生长

考题 名词解释题退火孪晶

考题 填空题晶体中的()有两种基本方式是滑移和孪晶。

考题 多选题晶体从缺陷处生长的种类包括()A螺旋位错生长B旋转孪晶生长C反射孪晶生长D平行位错生长

考题 多选题晶体宏观长大方式不包括()A螺旋位错生长B旋转孪晶生长C反射孪晶生长D树枝晶方式生长

考题 多选题晶体宏观长大方式不包括()A螺旋位错生长B旋转孪晶生长C反射孪晶生长D平面方式生长

考题 单选题晶体宏观长大方式包括()A 螺旋位错生长B 平面方式生长C 反射孪晶生长D 旋转孪晶生长

考题 单选题根据构成能障的界面情况的不同,形核方式包括()A 螺旋位错生长B 旋转孪晶生长C 反射孪晶生长D 均质形核

考题 单选题属于线缺陷()。A 堆垛层错B 孪晶界C 位错D 间隙原子