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消除霍尔效应副效应大多通过对称测量方法，即改变电流和磁场的方向加以消除。
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考题
当在半导体的晶体结构上加以压力，会暂时改变晶体结构的对称性，因而改变了半导体的导电结构，表现为它的电阻率ρ的变化，这一物理现象称为（）A、压电电阻效应B、光电效应C、电磁感应D、霍尔效应
考题
用霍尔法测磁感应强度时，霍尔片上除了不等势电压外，还存在由热电效应和热磁效应引起的各种副效应，这些副效应大多通过（）方法，即改变（）和（）的方向加以消除。如果电流沿X轴方向，磁场沿Z轴方向，由在Y轴方向测得的霍尔电压可推知霍尔电场沿Y轴正向，则此霍尔元件是由（）（填N型或P型）半导体材料制造的。
考题
霍尔效应的原理是：当电流I通过在磁场中的半导体基片（即霍尔元件），且电流方向与磁场方向垂直时，在垂直于电流与磁通的半导体基片的横向侧面，即产生下一个与电流和磁感应强度成正比的（）。A、电流B、电压C、电感D、电场
考题
单选题把一导体（或半导体）两端通以控制电流I，在垂直方向施加磁场B，在另外两侧会产生一个与控制电流和磁场成比例的电动势，这种现象称（）A
霍尔效应B
压电效应C
热电效应D
光电效应
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