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关于截止漏极电流说法正确的是()。

A.较小时,有负的温度系数

B.较大时,有正的温度系数

C.适当的工作条件使温度系数为零

D.无法确定


参考答案和解析
沟道夹断;载流子漂移速度的饱和
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考题 JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制,来改变()的宽窄,从而控制漏极电流的大小;而MOSFET则是利用栅源电压的大小,来改变半导体表面()的多少,从而控制漏极电流的大小。

考题 漏极饱和电流

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考题 如果可控硅导通后,下列说法中正确的有()。A、电流迅速达到饱和值B、去掉控制极电压,可控硅将截止C、控制极失去作用D、将阳极电流减小到一定值时,可使可控硅截止E、当阳极和阴极间加一反向电压,可使可控硅截止

考题 二极管反向截止时没有电流流过。

考题 晶闸管截止条件是断开阳极电压,或在阳极加反向电压,或使()A、阳极电流小于维持电流B、去掉控制极和阳极间的电压C、控制极加反向电压

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