考题
电力MOSFET的开关频率越高,所需要的驱动功率( )。A、越小B、不变C、越大D、不定
考题
开关电源中采用的MOSFET功率管,功耗较大。()
此题为判断题(对，错)。
考题
功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压
考题
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。 ()
此题为判断题(对，错)。
考题
SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。
考题
工程参数总表V1.0中的有效发射功率(EiRP),指的是()。
A、机架顶的有效发射功率B、天线口的有效发射功率C、功放口的有有效发射功率D、载频口的有效发射功率
考题
设备的（）包括设备主运动极限转速、转速数列、极限转速、转速级数与公比等。A、运动参数B、功率参数C、主参数D、一般技术参数
考题
使用功率MOSFET时要注意（）。A、防止静电击穿B、防止二次击穿C、MOSFET不能承受反压D、栅源过电压保护
考题
功率MOSFET是一种（）器件，具有驱动功率小，工作速度快，无二次击穿和安全区宽等特点。
考题
功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单，功率增益高，是一种（）控制器件。A、电压B、电流C、功率
考题
TDS小区最大发射功率调整指的是调整哪个参数（）。A、PRACH TXPOWERB、PCCPCH TXPOWERC、PICH TXPOWERD、MAX TXPOWER
考题
MOSFET功率管的热稳定性好，但是抗干扰能力差。
考题
开关电源中采用的MOSFET功率管，功耗较大。（）
考题
在使用JT—1图示仪测试大功率晶体管极限参数时，阶梯作用开关应选用在（）位。
考题
TDS小区最大发射功率调整指的是调整哪个参数？（）A、MAXTXPOWERB、PRACH TXPOWERC、PCCPCH TXPOWERD、PICH TXPOWER
考题
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。
考题
功率MOSFET可多个管子并联工作，具有（）能力。
考题
功率MOSFET是（）型器件。A、全控B、半控
考题
在一定蒸汽初参数和转速上，（）汽轮机所获得的（）功率称为汽轮机的极限功率。
考题
双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。
考题
填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
考题
判断题双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。A
对B
错
考题
问答题功率场效应管（MOSFET）的特点有哪些？
考题
单选题功率MOSFET是（）型器件。A
全控B
半控
