考题
将一电阻丝，浸入绝热箱内的水中。通电前为始态，通电10min后为终态。以电阻丝为体系，对热力学量△U、Q、W判断正确的是( )A △U>0、Q0B △UC △U>0、QD △U0、W
考题
IGBT是一个复合型的器件,它是( )
A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO
考题
电力MOSFET的通态电阻Ron具有______的温度系数,并联使用时具有______的能力,因而___使用比较容易。
考题
IGBT是ー个复合型的器件,它是()。
A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0
考题
电力MOSFET通态电阻具有(),并联使用具有电流自动均衡能力,易于并联。A、电导调制效应B、正的温度系数C、负的温度系数D、擎住效应
考题
晶闸管刚刚由断态转入通态并去掉触发门极信号后,仍能保持其导通状态的最小阳极电流称为()。A、通态平均电流IT(AV)B、维持电流IHC、擎住电流ILD、通态浪涌电流ITSM
考题
晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流是（）。A、通态平均电流B、维持电流C、擎住电流D、浪涌电流
考题
功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
考题
MOSFET的输出特性可分为可调电阻区、饱和区和（）
考题
电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
考题
关于白帜灯的说法，正确的是（）。A、光效较高，使用寿命长B、灯丝加热缓慢，不能瞬时启动C、是纯电感性负载D、灯丝的冷态电阻比热态电阻小得多，在点燃瞬时电流较大
考题
电涌抑制晶闸管（TSS管）的开关特性包括以下哪几个区域？（）A、限制B、断态C、击穿D、负电阻E、短路F、通态
考题
晶闸管的功耗是通态平均电压与通态平均电流的乘积。所以说可控硅的通态平均电压越大越好。
考题
MOSFET的导通电阻非常小，所以导通损耗也非常小。
考题
MOSFET管的全称是金属－氧化物－半导体场效应管，其最重要的特点是（）；A、具有非常高的输入电阻；B、具有非常小的输入电阻；C、具有单向导通特性；
考题
电力电子器件的通态损耗与器件的通态（）有关。A、电压B、电流C、电阻D、电感
考题
三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是（）的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是（）的相电压；这种电路角的移相范围是（）。
考题
IGBT是一个复合型的器件，它是（）。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
考题
电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
考题
晶闸管元件由通态到断态，能够维持元件导通的最小阳极电流叫做（）。
考题
单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（）控制器件。A
电压B
电流C
电阻D
功率
考题
填空题MOSFET的输出特性可分为可调电阻区、饱和区和（）
考题
单选题MOSFET管的全称是金属－氧化物－半导体场效应管，其最重要的特点是（）；A
具有非常高的输入电阻；B
具有非常小的输入电阻；C
具有单向导通特性；
考题
填空题三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是（）的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是（）的相电压；这种电路角的移相范围是（）。
考题
判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A
对B
错
考题
单选题电力电子器件的通态损耗与器件的通态（）有关。A
电压B
电流C
电阻D
电感
考题
多选题电涌抑制晶闸管（TSS管）的开关特性包括以下哪几个区域？（）A限制B断态C击穿D负电阻E短路F通态