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只有位错运动受到阻碍时,才可能导致位错增殖,否则一个位错滑移出晶体后,位错密度将减少。


参考答案和解析
ABCDE
更多 “只有位错运动受到阻碍时,才可能导致位错增殖,否则一个位错滑移出晶体后,位错密度将减少。” 相关考题
考题 上坡行驶中从低一挡位换入高一挡位,只有车速达到高一挡位速度时,才可换人。此题为判断题(对,错)。

考题 位错运动后晶体不发生体积变化,这类运动称为()。

考题 在4位有效信息上增加3位校验位后得到码长7位的海明校验码,它的检、纠错能力是()。A.纠一位错或检两位错 B.纠一位错且检两位错 C.只有纠错能力,没有纠错能力 D.只有纠错能力,没有检错能力

考题 固溶体之所以比组成它的溶剂金属具有更高的强度和硬度是因为()。A、溶质原子溶入后,形成了新的晶体结构B、溶质原子溶入后,增加了原子的排列密度,增大了原子之间的结合力C、溶质原子对位错运动起着障碍物的作用,使位错运动阻力增大D、溶质原子溶入后使位错容易在晶体中移动

考题 强化金属材料有不同的手段,其考虑的出发点都在于()。A、使位错增殖B、制造无缺陷的晶体C、使位错适当的减少

考题 对于金属晶体来说,增加位错密度或降低位错密度都能增加金属的强度。

考题 位错运动方向处处垂直于位错线,在运动中是可变的,晶体做相对滑动的方向()A、随位错线运动方向而改变B、始终是柏氏矢量方向C、始终是外力的方向D、垂直于柏氏矢量方向

考题 Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是()A、溶质原子再扩散到位错周围B、位错增殖的结果C、位错密度降低的结果

考题 位错的()是指在热缺陷的作用下,位错在垂直滑移方向的运动,结果导致空位或间隙原子的增值或减少。A、攀移B、滑移C、增值D、减少

考题 晶体的滑移实际上就是位错运动的结果。()

考题 位错的运动形式有哪些?阻碍位错运动的因素有哪些?

考题 位错增殖

考题 位错的具有重要的性质,下列说法不正确的是()。A、位错不一定是直线B、位错是已滑移区和未滑移区的边界C、位错可以中断于晶体内部D、位错不能中断于晶体内部

考题 单选题在晶体滑移过程中()A 由于位错不断移出滑移面,位错密度随形变量的增加而减少B 由于位错的增殖,位错密度随形变量的增加而增高C 由于晶界不断吸收位错,位错密度随形变量的增加而减少D 由于位错的消失(移出滑移面)和增殖的共同作用,位错的密度基本不变

考题 判断题复位指令一次可以将某一个位存储区从某一开始的一个位或多个位(最多255个)置0。A 对B 错

考题 判断题一条置位指令只能对同一个存储区的一个位或多个位(最多255个)置1,若是对多个位操作时,这些位必须是连续的位。A 对B 错

考题 单选题下面对刃型位错描述错误的是()A 位错既有切应变,又有正应变B 位错线与晶体的滑移方向相平行C 位错线运动方向与位错线垂直D 位错线是一个具有一定宽度的细长晶格畸变管道

考题 单选题柏格斯矢量是位错的符号,它代表()。A 位错线的方向B 位错线的运动方向C 晶体的滑移方向

考题 单选题位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移,其中()。A 螺位错只作滑移,刃位错既可滑移又可攀移B 刃位错只作滑移,螺位错只作攀移C 螺位错只作攀移,刃位错既可滑移又可滑移D 螺位错只作滑移,刃位错只作攀移

考题 问答题位错的运动形式有哪些?阻碍位错运动的因素有哪些?

考题 判断题置位指令一次可以将某一个位存储区从某一开始的一个位或多个位(最多255个)置1。A 对B 错

考题 单选题强化金属材料有不同的手段,其考虑的出发点都在于()。A 使位错增殖B 制造无缺陷的晶体C 使位错适当的减少

考题 问答题某滑移面上一个位错源开动释放出的位错在晶界处形成位错塞积群对该位错源的开动有何影响,为什么?

考题 单选题位错的具有重要的性质,下列说法不正确的是()。A 位错不一定是直线B 位错是已滑移区和未滑移区的边界C 位错可以中断于晶体内部D 位错不能中断于晶体内部

考题 判断题晶体的滑移实际上就是位错运动的结果。()A 对B 错

考题 单选题位错的()是指在热缺陷的作用下,位错在垂直滑移方向的运动,结果导致空位或间隙原子的增值或减少。A 攀移B 滑移C 增值D 减少

考题 单选题Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是()A 溶质原子再扩散到位错周围B 位错增殖的结果C 位错密度降低的结果

考题 问答题一个位错环能否各部分都是螺型位错或各部分都是刃型位错,试说明之。