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1、下列八面体络合物的电子结构中哪个将发生较大的畸变？ （)

A．(t2g)5(eg)2

B．(t2g )3(eg )2

C．(t2g )4(eg )2

D．(t2g )6(eg )3

参考答案和解析
( t 2g ) 6 ( e g ) 3
更多 “1、下列八面体络合物的电子结构中哪个将发生较大的畸变？ （)A．(t2g)5(eg)2B．(t2g )3(eg )2C．(t2g )4(eg )2D．(t2g )6(eg )3” 相关考题
考题 染色体是由于染色体畸变（包括结构畸变和数目畸变）而导致的染色体异常综合征。造成染色体畸变发生的原因是多方面的，下列属于染色体畸变诱发原因的有：A.氮芥、甲氨蝶呤等抗癌药物 B.X线摄片、CT扫描 C.乙肝病毒感染 D.真菌感染
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考题 将棱长为1的正方体的六个面的中点相连接可以得到一个八面体，则这个八面体的体积为：
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考题 体心立方结构每个原子平均形成的八面体间隙数为（）。A.1 B.2 C.3 D.4
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考题 Fcc和bcc结构中的八面体间隙均为正八面体。（）
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考题 体心立方结构每个晶胞中八面体间隙数为（）。A.4 B.6 C.8 D.12
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考题 下列关于染色体畸变和基因突变叙述正确的是（）。 ①染色体畸变是指染色体数目或结构发生改变；基因突变则是DNA分子中个别核苷酸的改变 ②基因突变可产生新的基因，染色体畸变则不能产生新基因 ③基因突变其遗传效应小，染色体畸变则遗传效应大 ④染色体畸变可通过细胞学鉴别，而基因突变则不能鉴别A、①②B、②③C、③④D、①④E、②④
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考题 染色体结构畸变发生的基础是______。
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考题 色体结构畸变
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考题 关于染色体畸变的描述，下列错误的是（）A、染色体的结构畸变不引起畸形B、染色体数目减少常见于单体型C、染色体数目的增多多见于三体型D、包括染色体数目的异常和染色体结构异常
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考题 根据价电子对互斥理论，判断RnF4的空间结构式（）A、正八面体B、正四面体C、平面正方形D、变形四面体
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考题 按晶体场理论，Co3+作为中心离子形成配合物时，在八面体弱场中，未成对电子数为（）个，d电子的分布为（）；在八面体强场中，理论磁矩是（），d电子的分布为（）；CFSE（）Dq。
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考题 关于染色体异常相关内容下列说法错误的是：（）A、染色体畸变为结构畸变和数目畸变B、染色体异常包括染色体数目异常和结构异常C、染色体异常可分为常染色体异常和性染色体异常D、染色体核型书写顺序为：染色体数目，染色体异常，性染色体
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考题 如果八面体晶片的中央位置由A13+、Fe3+等三价离子占据2／3，留下1／3的空位，这种晶片特称为（）。A、二八面体晶片B、三八面体晶片C、四八面体晶片D、五面体晶片
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考题 染色体畸变在肿瘤发生中作用.
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考题 金红石晶体中，所有O2-作稍有变形的立方密堆排列，Ti4+填充了（）A、全部四面体空隙B、全部八面体空隙C、1/2四面体空隙D、1/2八面体空隙
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考题 下面哪个单形可以出现在多个晶系中（）。A、平行双面B、斜方体C、斜方四面体D、八面体
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考题 核型为46，XX/45，XX的病人的病因是（）。A、常染色体数目畸变的嵌合体B、性染色体数目畸变的嵌合体C、常染色体结构畸变的嵌合体D、性染色体结构畸变的嵌合体
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考题 NaCl单位晶胞中的“分子数”为4，Na+填充在Cl-所构成的（）空隙中。A、全部四面体B、全部八面体C、1/2四面体D、1/2八面体
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考题 判断题Fcc和bcc结构中的八面体间隙均为正八面体。A 对B 错
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考题 填空题染色体结构畸变发生的基础是______。
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考题 单选题NaCl单位晶胞中的“分子数”为4，Na+填充在Cl-所构成的（）空隙中。A 全部四面体B 全部八面体C 1/2四面体D 1/2八面体
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考题 单选题下列关于染色体畸变和基因突变叙述正确的是（）。 ①染色体畸变是指染色体数目或结构发生改变；基因突变则是DNA分子中个别核苷酸的改变 ②基因突变可产生新的基因，染色体畸变则不能产生新基因 ③基因突变其遗传效应小，染色体畸变则遗传效应大 ④染色体畸变可通过细胞学鉴别，而基因突变则不能鉴别A ①②B ②③C ③④D ①④E ②④
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考题 单选题云母族矿物中的钾离子在晶体结构中位于（）A 四面体片中B 八面体片中C 结构单元层之间
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考题 单选题核型为46，XX/45，XX的病人的病因是（）。A 常染色体数目畸变的嵌合体B 性染色体数目畸变的嵌合体C 常染色体结构畸变的嵌合体D 性染色体结构畸变的嵌合体
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考题 单选题面心立方结构每个晶胞中八面体间隙数为（）。A 4B 8C 2D 1
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考题 单选题体心立方结构每个原子平均形成的八面体间隙数为（）。A 1B 2C 3D 4
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考题 问答题MgAl2O4晶体结构中，按r+/r-与CN关系，Mg2+、Al3+都填充八面体空隙，但在该结构中Mg2+进入四面体空隙，Al3+填充八面体空隙；而在MgFe2O4结构中，Mg2+填充八面体空隙，而一半Fe3+填充四面体空隙。
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考题 单选题CsCl单位晶胞中的“分子数”为1，Cs+填充在Cl-所构成的（）空隙中。A 全部四面体B 全部八面体C 全部立方体D 1/2八面体
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