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如果八面体晶片的中央位置由A13+、Fe3+等三价离子占据2/3,留下1/3的空位,这种晶片特称为()。

  • A、二八面体晶片
  • B、三八面体晶片
  • C、四八面体晶片
  • D、五面体晶片

参考答案

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考题 超声波的频率取决于晶片的振动频率,()。 A、频率越高晶片越厚B、频率越高晶片越薄C、频率越低晶片越薄D、频率越低晶片越小

考题 探头前保护膜的声阻抗公式,(Z=声阻抗)应是()A.Z保护膜=(Z晶片+Z工件)1/2 B.Z保护膜=(Z晶片-Z工件)1/2 C.Z保护膜=(Z晶片xZ工件)1/2 D.Z保护膜=(Z晶片/Z工件)1/2

考题 波束扩散角是晶片尺寸和传播介质中声波波长的函数并且随()A、频率增加,晶片直径减小而减小B、频率或晶片直径减小而增大C、频率或晶片直径减小而减小D、频率增加,晶片直径减小而增大

考题 晶片厚度与晶片的频率密切相关,晶片厚度越厚,频率越低。

考题 压电晶片的两个工作面上积聚的电荷量与()成正比。A、工作面的面积B、作用在晶片上的压强C、作用在晶片上的力D、晶片厚度

考题 某金属离子在八面体强场中的磁矩与在八面体弱场中的磁矩几乎相等,则该离子可能是()A、Mn2+B、Cr3+C、Mn3+D、Fe3+

考题 半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数,它()。A、随频率增加、晶片尺寸减小而减小B、随频率或晶片尺寸减小而增大C、随频率或晶片尺寸减小而减小D、频率增加、晶片尺寸减小而增大

考题 为得到较高的效率,要使晶片在共振状态下工作,此时晶片厚度为()波长。A、1/2B、1/3C、1/4D、1/6

考题 超声波探头所选用压电晶片的频率与晶片厚度有密切关系,频率越高,晶片越薄。

考题 晶片共振波长是晶片厚度的()。A、 2倍B、 1/2倍C、 1倍D、 1/4倍

考题 压电晶片的压电电压常数大,则说明该晶片()。

考题 根据电价规则,在下面情况下,空隙内各需填入何种价数的阳离子,并对每一种结构举出—个例子。 (1)所有四面体空隙位置均填满; (2)所有八面体空隙位置均填满; (3)填满—半四面体空隙位置; (4)填满—半八面体空隙位置

考题 探头的频率取决于()。A、晶片的厚度B、晶片材料的声速C、晶片材料的声阻抗D、晶片材料的密度

考题 超声波探伤,为减少近场长度应选用()的探头.A、低频率B、较小晶片C、低频率和较小晶片D、较大晶片

考题 涂胶之前,要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行,下列操作正确的是()。A、进行去水烘烤以保证晶片干燥B、在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好C、刚刚处理好的晶片应立即涂胶D、贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥E、也可以直接使用贮存的晶片

考题 钢轨探伤车所用组合探头内含不同角度的晶片分别为0°晶片、()晶片、70°晶片、40°晶片。

考题 波束扩散角是晶片尺寸和所通过的介质中声波波长的函数,并且()。A、频率或晶片直径减少时增大B、频率或晶片直径减少时减少C、频率增加而晶片直径减少时减少D、频率或晶片直径增大时增大

考题 单选题压电晶片的两个工作面上积聚的电荷量与()成正比。A 工作面的面积B 作用在晶片上的压强C 作用在晶片上的力D 晶片厚度

考题 问答题从负离子的六方密堆积出发, (1)正离子填满一半的四面体位置; (2)正离子填满所有的八面体位置; (3)正离子填满八面体结构的交替层。 三种情况各产生什么结构类型?

考题 单选题半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数,它()。A 随频率增加、晶片尺寸减小而减小B 随频率或晶片尺寸减小而增大C 随频率或晶片尺寸减小而减小D 频率增加、晶片尺寸减小而增大

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考题 单选题波束扩散角是晶片尺寸和所通过的介质中声波波长的函数,并且()。A 频率或晶片直径减少时增大B 频率或晶片直径减少时减少C 频率增加而晶片直径减少时减少D 频率或晶片直径增大时增大

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考题 问答题MgAl2O4晶体结构中,按r+/r-与CN关系,Mg2+、Al3+都填充八面体空隙,但在该结构中Mg2+进入四面体空隙,Al3+填充八面体空隙;而在MgFe2O4结构中,Mg2+填充八面体空隙,而一半Fe3+填充四面体空隙。

考题 填空题粘土矿物基本上是由两种原子层(称为晶片)构成的,一种是(),它的基本单元是Si—0四面体,另一种是(),它的基本单元是A1—OH八面体。

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