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7、7.按地址从存储器中取出信息,不破坏原有的内容,称为对存储器进行“()”操作。反之,把信息写入存储器,原来的内容被覆盖,称为对存储器进行“写”操作。 A.读 B.改 C.删除 D.编辑


参考答案和解析
C
更多 “7、7.按地址从存储器中取出信息,不破坏原有的内容,称为对存储器进行“()”操作。反之,把信息写入存储器,原来的内容被覆盖,称为对存储器进行“写”操作。 A.读 B.改 C.删除 D.编辑” 相关考题
考题 ● 关于相联存储器,下面的论述中,错误的是 (17) 。(17)A. 相联存储器按地址进行并行访问B. 相联存储器的每个存储单元都具有信息处理能力C. 相联存储器能并行进行各种比较操作D. 在知识库中应用相联存储器实现按关键字检索

考题 ●存储周期是指 (18) 。(18) A.存储器的读出时间B.存储器的写入时间C.存储器进行连续读操作所允许的最短时间间隔D.存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔

考题 ●下面关于主存储器的叙述中,不正确的是 (34) 。(34) A.当前正在执行的指令与数据一定要存放在主存储器内,否则处理器不能进行处理B.字节是主存储器中信息的基本编址单位C.存储器的读、写操作是一次读出或写入一个字节D.从程序设计的角度来看,cache(高速缓存)就是主存储器

考题 下面关于主存储器(也称为内存)的叙述中,不正确的是()。 A、当前正在执行的指令与数据都必须存放在主存储器内,否则处理器不能进行处理B、存储器的读、写操作,一次仅读出或写入一个字节C、字节是主存储器中信息的基本编址单位D、从程序设计的角度来看,cache(高速缓存)也是主存储器

考题 Pentium微处理器进行存储器读操作时,在时钟周期T1期间,完成下列______操作。A.信号变为高电平B.发送存储器地址C.读操作码D.读操作数

考题 可进行读、写操作,但断电以后所存储的信息将全部丢失的主存储器称为。() A、只读存储器B、RAMC、随机访问存储器D、ROM

考题 存储周期是指(19)。A.存储器的读出时间B.存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔C.存储器的写入时间D.存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔

考题 只读存储器ROM的功能是____________。 A.只能读出存储器的内容且断电后仍保持;B.只能将信息写入存储器;C.可以随机读出或写入信息;D.只能读出存储器的内容且断电后信息全丢失

考题 当8088引脚时,表示CPU当前正在进行()操作。A.读存储器B.写存储器C.写IO口D.读IO口

考题 存取周期是指( )。A.存储器的写入时间B.存储器的读出时间C.存储器进行连续写操作允许的最短时间间隔D.存储器进行连续读写操作所允许的最短时间间隔

考题 从存储器中读出或向存储器写入一个信息所需的时间称为( )。A.等待时间B.存取周期C.查找时间D.寄存器

考题 下列关于随机读/写存储器(RAM)特点的描述,正确的是(9)。A.从存储器读取数据后,原有的数据就清零了B.RAM可以作为计算机数据处理的长期储存区C.RAM中的信息不会随计算机的断电而消失D.只有向存储器写入新数据时,存储器中的内容才会被更新

考题 关于相联存储器,下面的论述中,错误的是______。A.相联存储器按地址进行并行访问B.相联存储器的每个存储单元都具有信息处理能力C.相联存储器能并行进行各种比较操作D.在知识库中应用相联存储器实现按关键字检索

考题 对于存储器下列描述不正确的是( )。A.它的主要功能是存放程序和数据B.它是存放二进制形式信息的部件C.Cache不属于存储器D.用户可以对存储器中的内容进行读或写操作

考题 用作存储器的芯片有不同的类型。可随机读/写,且只要不断电,其中存储的信息就可一直保存的存储器,称为(38)。可随机读/写,但即使在不断电的情况下其存储的信息要定时刷新才不致丢失的存储器,称为(39)。所存信息由生产厂家用掩膜技术写好后就无法再改变的存储器称为(40)。通过紫外线照射后可擦除所有信息,然后重新写入新的信息并可多次进行的存储器,称为(41)。通过电信号可在数秒钟内快速删除全部信息,但不能进行字节级别删除操作的存储器,称为(42)。A.RAMB.VRAMC.DRAMD.SRAM

考题 ● 下列关于随机读/写存储器(RAM)特点的描述,正确的是(9) 。(9)A.从存储器读取数据后,原有的数据就清零了B. RAM 可以作为计算机数据处理的长期储存区C.RAM 中的信息不会随计算机的断电而消失D.只有向存储器写入新数据时,存储器中的内容才会被更新

考题 存储器进行一次完整的读/写操作所需的时间,称为存储周期。

考题 可进行读、写操作,但断电以后所存储的信息将全部丢失的主存储器称为()。A、随机访问存储器B、ROMC、RAMD、只读存储器

考题 存储卡是可以直接对其进行()操作的存储器。A、读、写B、读C、写D、编辑

考题 DRAM是()。A、只能读出的存储器B、只能写入的存储器C、不关机信息静态保存的存储器D、信息需定时刷新的读/写存储器

考题 存储周期指的是()。A、存储器进行连续读或写操作所允许的最短时间间隔B、存储器的读出周期C、存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔D、存储器的写入周期

考题 在对破坏性读出的存储器进行读/写操作时,为维持原存信息不变,必须辅以的操作是()。A、刷新B、再生C、写保护D、主存校验

考题 从存储器中取出信息的过程一般称为()。A、推B、拉C、读D、写

考题 单选题DRAM是()。A 只能读出的存储器B 只能写入的存储器C 不关机信息静态保存的存储器D 信息需定时刷新的读/写存储器

考题 单选题从存储器中取出信息的过程一般称为()。A 推B 拉C 读D 写

考题 判断题存储器进行一次完整的读/写操作所需的时间,称为存储周期。A 对B 错

考题 单选题下列有关Flash存储器的描述,不正确的是()A Flash存储器属于非易失的存储器B Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同C Flash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同D Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息

考题 单选题在对破坏性读出的存储器进行读/写操作时,为维持原存信息不变,必须辅以的操作是()。A 刷新B 再生C 写保护D 主存校验