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85、DRAM的含义是 。

A.随机存储器

B.动态随机存储器

C.静态随机存储器

D.只读存储器


参考答案和解析
D
更多 “85、DRAM的含义是 。A.随机存储器B.动态随机存储器C.静态随机存储器D.只读存储器” 相关考题
考题 下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中,正确的是:A.SRAM和DRAM都是RAM芯片,掉电后所存放的内容会丢失B.SRAM的集成度比DRAM高C.DRAM的存取速度比SRAM快D.CPU中的Cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:① SRAM比DRAM存储电路简单② SRAM比DRAM成本高③ SRAM比DRAM速度快④ SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新A.①和②B.②和③C.③和④D.①和④

考题 DRAM存储器的中文含义是______。A.静态随机存储器B.动态随机存储器C.动态只读存储器D.静态只读存储器

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ.DRAM比SRAM成本高 Ⅲ.DRAM比SRAM速度快 Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新 其中正确的是A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单Ⅱ.DRAM比SRAM成本高Ⅲ.DRAM比SRAM速度快Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新其中哪两个叙述是错误的?A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

考题 PC机中,DRAM内存条的速度与类型有关,若按存取速度从低到高的顺序排列,正确的是A.SDRAM、RDRAM、EDO DRAMB.EDO DRAM、SDRAM、RDRAMC.EDO DRAM、RDRAM、SDRAMD.RDRAM、EDO DRAM、SDRAM

考题 下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.SRAM比DRAM集成度高Ⅱ.SRAM比DRAM成本高Ⅲ.SRAM比DRAM速度快 Ⅳ.SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新其中正确的叙述是A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

考题 DRAM与SRAM比较:() A、DRAM比SRAM速度快B、DRAM比SRAM价格低C、DRAM比SRAM较容易使用

考题 CPU执行指令需要从存储器读取数据时,数据搜索的顺序是()。 A、cache、DRAM和硬盘B、DRAM、cache和硬盘C、硬盘、DRAM和cacheD、DRAM、硬盘和cache

考题 下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,正确的是( )。Ⅰ DRAM比SRAM集成度高Ⅱ DRAM比SRAM成本高Ⅲ DRAM比SRAM速度快Ⅳ DRAM需要刷新,SRAM不需要刷新A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,其中哪两个是正确的?( )。Ⅰ DRAM比SRAM集成度高Ⅱ DRAM比SRAM成本高Ⅲ DRAM比SRAM速度快Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,其中( )叙述是错误的。①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新A.①和②B.②和③C.③和④D.①和④

考题 为提高PC机主存储器的存取速度,出现了多种类型的DRAM内存条,若按存取速度从低到高排列,正确的顺序是( )。A.EDO DRAM,SDRAM,RDRAMB.EDO DRAM,RDRAM,SDRAMC.SDRAM,EDO DRAM,RDRAMD.RDRAM,DEO DRAM,SDRAM

考题 SRAM和DRAM的区别?() A.SRAM比DRAM功耗高B.SRAM比DRAM成本高C.SRAM比DRAM速度快D.SRAM比DRAM散热大

考题 以下关于SRAM(静态随机存储器)和DRAM(动态随机存储器)的说法中,正确的是( )。A.SRAM的内容是不变的,DRAM的内容是动态变化的B.DRAM断电时内容会丢失,SRAM 的内容断电后仍能保持记忆C.SRAM的内容是只读的,DRAM的内容是可读可写的D.SRAM和DRAM都是可读可写的,但DRAM的内容需要定期刷新

考题 下列关于DRAM的叙述,正确的是A.DRAM是一种随机存储器B.DRAM是一种易失性存储器,断电则丢失存储信息C.DRAM需要刷新操作,不定时刷新,数据会丢失D.DRAM是一种半导体存储器E.DRAM芯片与CPU连接时要注意时序匹配

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下,错误的是()。A.Ⅰ和Ⅱ B.Ⅱ和Ⅲ C.Ⅲ和Ⅳ D.Ⅰ和Ⅳ

考题 下面关于DRAM存储器描述错误的是()A、DRAM存储器需要对存储内容定时刷新B、DRAM存储器具有单位空间存储容量大的特点C、DRAM存储器属于非易失的存储器D、DRAM存储器主要依靠电容的电荷存储效应记忆信息

考题 DRAM存储器的中文含义是()。A、静态随机存储器B、动态随机存储器C、静态只读存储器D、动态只读存储器

考题 以下关于SRAM和DRAM的区别描述中,()是不对的。A、SRAM比DRAM慢B、SRAM比DRAM耗电多C、DRAM存储密度比SRAM高得多D、DRAM需要周期性刷新

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: ①SRAM比DRAM存储电路复杂  ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢  ④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新; 其中正确的是()。A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是().①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④

考题 CPU执行指令需要从存储器读取数据时,数据搜索的先后顺序是()A、Cache、DRAM和硬盘B、DRAM、Cache和硬盘C、硬盘、DRAM和CacheD、DRAM、硬盘和Cache

考题 SRAM和DRAM的区别?()A、SRAM比DRAM功耗高B、SRAM比DRAM成本高C、SRAM比DRAM速度快D、SRAM比DRAM散热大

考题 DRAM的中文含义是()。A、随机存储器B、动态随机存储器C、只读除存储器D、可读写存储器

考题 单选题TFX1型防滑器诊断功能代码为85表示()。A ROM自检B 速度传感器自检C 防滑排风阀自检D RAM自检

考题 单选题DRAM存储器的中文含义是( )。A 静态随机存储器B 静态只读存储器C 动态随机存储器D 动态只读存储器

考题 单选题EDO RAM和FPM DRAM的最大区别是()。A 没有区别B EDO RAM比FPM DRAM的快C FPM DRAM比EDO RAM的快D EDO RAM比FPM DRAM小E FPM DRAM比EDO RAM价格高