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CVD工艺当hg<<ks时,薄膜淀积速率受表面反应控制,对温度很敏感。
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考题
对于某种薄膜的CVD过程,淀积温度为900℃,质量传输系数hG=10cms-1,表面反应速率系数ks=1×107exp(-1.9eV/kT)cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择(1)冷壁,石墨支座型;(2)热壁,堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
考题
问答题简述CVD工艺的的工艺流程
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