考题
自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。()
此题为判断题(对，错)。
考题
PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。
A、多数载流子扩散而成B、多数载流子漂移而成C、少数载流子扩散而成D、少数载流子漂移而成
考题
三极管的反向电流ICBO是由()组成的。
A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、带电离子
考题
当PN结两端加正向电压时,在PN结内参加导电的是()。
A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
考题
对PN结加反偏电压时,参与导电的是()。
A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子，也有少数载流子
考题
电导率σ=nqμ，其中n是，q是，μ是。（）A.载流子的数量，电场强度，载流子的迁移率
B.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移速度
C.载流子的数量，载流子的电荷量，载流子迁移速率
D.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移率
考题
半导体的界面或表面被（）产生载流子后，生成的（）和（）由于载流子的作用向相反的方向漂移，引起载流子极化，从而产生了因光照射引起的电流。
考题
下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子
考题
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
考题
PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的（）运动和少数载流子的（）运动。
考题
半导体中的多数载流子是由（）形成的，少数载流子是由（）产生的。
考题
对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
考题
本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是（），少数载流子应是（）。
考题
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
考题
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
考题
当二极管导通后参加导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、共价键中的价电子
考题
对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。A、非平衡载流子浓度成正比；B、平衡载流子浓度成正比；C、非平衡载流子浓度成反比；D、平衡载流子浓度成反比。
考题
三极管工作时，发射极发射载流子，（）输送和控制载流子，（）是收集载流子。
考题
本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
考题
晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电，而场效应管只有个别载流子导电。
考题
三极管的集电区的作用是（）。A、发射载流子B、输送和控制载流子C、收集载流子D、控制载流子
考题
填空题使非平衡载流子浓度增加的运动叫（）；使非平衡载流子浓度减少的运动叫（）。
考题
填空题光照增强的同时，载流子浓度不断的增加，同时光敏电阻的温度也在升高，从而导致载流子运动加剧，因此复合几率也增大，光电流呈（）趋势。
考题
判断题自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。A
对B
错
考题
单选题对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。A
非平衡载流子浓度成正比；B
平衡载流子浓度成正比；C
非平衡载流子浓度成反比；D
平衡载流子浓度成反比。
考题
单选题一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。A
1/4；B
1/e；C
1/e2；D
1/2
考题
单选题场效应管参与导电的载流子是（）。A
电子B
空穴C
多数载流子D
少数载流子