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Si二极管的导通电压和死区电压分别为()

A.0.7V,0.3V

B.0.3V,0.2V

C.0.7V,0.5V

D.0.5V,0.2V


参考答案和解析
0.7V,0.1V
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考题 二极管导通的条件是加在二极管两端的电压是正向电压小于PN结的死区电压 。 () 此题为判断题(对,错)。

考题 二极管的单向导电性是指:() A、外加正向电压导通,加反向电压截止。B、外加正向电压截止,加反向电压导通。C、外加正向电压导通,加反向电压导通。

考题 二极管加正向电压时,这个电压只要大于死区电压,电流便很快增长,二极管导通,这时电阻很小,此为二极管的()。 A、稳压特性B、反向击穿C、反向特性D、正向特性

考题 二极管两端电压大于电压时,()二极管才导通。 A、击穿电压B、死区C、饱和D、夹断电压

考题 当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管() A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通

考题 半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压()。

考题 要使二极管正向导通,外加正向电压必须大于二极管的死区电压。A对B错

考题 二极管导通状态描述错误的是()A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后,其导通电流不变D、二极管导通后,其导通电压不变

考题 硅二极管两端加上正向电压时()。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若超过死区电才导道

考题 硅二极管的死区电压和锗二极管死区电压相等。

考题 锗二极管的死区电压为()V,导通电压为()V

考题 对于晶体二极管,下列说法不正确的是:()A、正向电阻很小B、反向电阻很大C、正向电压大于死区电压时才能导通D、反向电压多大都不会导通

考题 当反向电压小于击穿电压时二极管处于()状态。A、死区B、截止C、导通D、击穿

考题 二极管正向导通的条件是()。A、正极电压高于负极电压,且其差值大于“死区电压”B、正极电压小于负极电压C、正极电压高于负极电压,且其差值小于“死区电压”D、正极电压等于负极电压

考题 要使二极管正向导通,外加正向电压必须大于二极管的死区电压。

考题 二极管导通的条件是加在二极管两端的电压()A、正向电压大于PN结的死区电压B、正向电压等于零C、必须加反向电压

考题 晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

考题 二极管两端加上正向电压时()A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.7V才导通D、超过0.3V才导通

考题 二极管两端加上正向电压时()A、一定导通B、超过死区电压才能导通C、超过0.7伏才导通D、超过0.3伏才导通

考题 当二极管正向偏置电压小于死区电压时二极管才能导通。

考题 锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。

考题 当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时,硅二极管()。A、立即导通B、到0.3V时才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通

考题 当加在二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时,硅二极管()。A、超过死区电压时才开始导通B、到0.3才开始导通C、立即导通

考题 单选题对于二极管来说,以下说法错误的是()。A 正向电阻很小B 反向电阻很大C 无论加多大的反向电压,都不会导通D 所加正向电压大于死区电压时,二极管才真正导通

考题 单选题当反向电压小于击穿电压时二极管处于()状态。A 死区B 截止C 导通D 击穿

考题 单选题对于晶体二极管,下列说法不正确的是:()A 正向电阻很小B 反向电阻很大C 正向电压大于死区电压时才能导通D 反向电压多大都不会导通

考题 单选题对于晶体二极管来说,以下说法错误的是()。A 正向电阻很小B 无论加多大的反向电压,都不会导通C 未被反向击穿前,反向电阻很大D 所加正向电压大于死区电压时,二极管才算真正导通

考题 填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。