考题
硅二极管死区电压为0.5V,导通电压为0.7V。()
此题为判断题(对，错)。
考题
锗材料二极管的死区电压为()V。
A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
考题
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()
A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通
考题
三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。
考题
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
考题
二极管导通后锗管的导通电压一般取为（）V。A.0.2
B.0.4
C.0.5
D.0.7
考题
二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变
考题
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
考题
硅二极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若超过死区电才导道
考题
导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
考题
二极管真正导通后，锗管的电压约为（）V。A、0.3B、0.5C、0.7D、0.9
考题
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
考题
硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.4VD、0.2V
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.7V才导通D、超过0.3V才导通
考题
硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。
考题
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
考题
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
考题
硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（）A、0.6V；0.6VB、0.6V；0.1VC、0.1V；0.6VD、0.1V；0.1V
考题
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
考题
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、立即导通B、到0.3V时才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通
考题
单选题锗二极管导通时，它两端电压约为（）。A
1VB
0.7VC
0.3VD
0.5V
考题
填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
考题
判断题硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。A
对B
错