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会对非晶硒探测器造成脱膜伤害的温度是低于（）摄氏度

A．0

B．5

C．10

D．20

参考答案和解析
10
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考题 关于DR探测器的类型，错误的是A．非晶硒平板型探测器B．非晶硅平板型探测器C．碘化铯平板型探测器D．多丝正比室扫描DRE．CCD摄像机型DR
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考题 目前DR设备选用的探测器主要有 A、非晶硒B、非晶硅C、CCDD、CDE、TFT
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考题 属于DR成像间接转换方式的部件是A．增感屏B．非晶硒平板探测器C．碘化铯+非晶硅探测器D．半导体狭缝线阵探测器E．多丝正比电离室
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考题 属于DR成像直接转换方式的是（）A、非晶硒平扳探测器B、碘化铯+非晶硅平扳探测器C、利用影像板进行X线摄影D、闪烁体+CCD摄像机阵列E、硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器
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考题 非晶硒平板探测器的结构主要包括（）、（）、（）和（）四部分。
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考题 DR成像设备类型包括（）。A、非晶硒平板型探测器B、非晶硅平板探测器型C、IP成像方式D、多丝正比室扫描投影DRE、CCD摄像机型DR
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考题 多选题DR使用过的平板探测器材质是（）A非晶硒B碘化铯非晶硅C氧化钆非晶硅
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考题 多选题数字平板探测器主要分为（　　）。A非晶硅B非晶硒CCCDDCREDR
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考题 单选题GE悬吊无线平板探测器材质是（）A 非晶硒B 碘化铯非晶硅C 氧化钆非晶硅D CCD
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考题 单选题Siemens Inspiration探测器的材质（）A 非晶硅碘化铯B 非晶硒C 晶体硅碘化铯D 非晶硅硫氧化钆
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考题 单选题关于探测器说法，不正确的是（　　）。A 非晶硒平板探测器的非晶硒层直接将X线转换成电信号B 太厚的非晶硒会导致其他伪影的产生C 伪影的程度取决于X线被吸收前在非晶硒内前行的距离D 探测器的设计在X线捕获和电子信号之间不产生折中E 图像持留时间限制了图像的采集速度，这对全自动曝光技术带来了负面效应
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考题 单选题下列探测器产生的图像质量由好到坏的排序是（　　）。A 非晶硅-非晶硒-CCDB CCD-非晶硅-非晶硒C 非晶硒-非晶硅-CCDD 非晶硅-CCD-非晶硒E CCD-非晶硒-非晶硅
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考题 单选题非晶硅碘化铯探测器相比非晶硒探测器的优势（）A 非常硬B 非常软C 非常稳定D 非常便宜
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考题 单选题下列哪个是直接成像的平板探测器？（　　）A 非晶硅B 碘化铯C 二极管D 闪烁晶体E 非晶硒
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考题 单选题Crystal探测器材质（）A 非晶硅碘化铯B 非晶硒C 晶体硅碘化铯D 非晶硅硫氧化钆
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考题 多选题DR成像设备类型包括（）。A非晶硒平板型探测器B非晶硅平板探测器型CIP成像方式D多丝正比室扫描投影DRECCD摄像机型DR
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考题 单选题Pristina探测器的材质（）A 非晶硅碘化铯B 非晶硒C 晶体硅碘化铯D 非晶硅硫氧化钆
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考题 单选题西门子乳腺机Fusion探测器材质（）A 非晶硅碘化铯B 非晶硒C 晶体硅碘化铯D 非晶硅硫氧化钆
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考题 填空题非晶硒平板探测器的结构主要包括（）、（）、（）和（）四部分。
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考题 单选题属于DR成像直接转换方式的是（）A 非晶硒平扳探测器B 碘化铯+非晶硅平扳探测器C 利用影像板进行X线摄影D 闪烁体+CCD摄像机阵列E 硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器
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考题 单选题Hologic Selenia Dimensions探测器的材质（）A 非晶硅碘化铯B 非晶硒C 晶体硅碘化铯D 非晶硅硫氧化钆
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考题 单选题下列属于DR成像间接转换方式的部件是（　　）。A 闪烁体B 非晶硒平板探测器C CCD摄像机阵列D 碘化铯＋非晶硅探测器E 半导体狭缝线阵列探测器
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考题 单选题属于DR成像间接转换方式的部件是（）A 增感屏B 非晶硒平板探测器C 多丝正比电离室D 碘化色+非晶硅探测器E 半导体狭缝线阵探测器
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考题 多选题目前DR设备选用的探测器主要有（）。A非晶硒B非晶硅CCCDDCDETFT
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考题 单选题DiscoveryXR656和飞天V无线平板探测器材质是（）A 非晶硒B 碘化铯非晶硅C 氧化钆非晶硅D CCD
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