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使NPN型晶体管工作在放大状态的条件是 。

A．UBE＞0、UBE＜UCE

B．UBE＜0、UBE＜UCE

C．UBE＞0、UBE＞UCE

D．UBE＞UCE

参考答案和解析
VC＞VB＞VE
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考题 为了使晶体管正常工作在放大状态,发射结必须加()电压,集电结必须加()电压。
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考题 NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc=9V,UB=0.7V,UE=0V,则该晶体管的工作状态是() A、饱和B、正常放大C、截止
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考题 对于双极型晶体三极管(简称晶体管)，如下不正确的描述是( )。A.晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态 B.晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区 C.晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示 D.晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态
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考题 在放大电路中，测得某三极管的E、B、C三个电极对地电位分别为－2V、－2.3V、－7V，则这个管子是( )。A.饱和状态的PNP型硅管 B.放大状态的NPN型硅管 C.饱和状态的NPN型锗管 D.放大状态的PNP型锗管
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考题 NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射极电压与发射极电流的关系为（　　）。
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考题 在放大电路中，若测得某晶体管三个电极的电位分别为7V，1.2V，1V，则该管为：（）。A.NPN型硅管 B.PNP型硅管 C.NPN型锗管 D.PNP型锗管
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考题 三极管Ue=-8.7V，Ub=-8V，Uc=-3.4V则此管工作状态是（）。A、NPN管工作在饱和状态B、NPN管工作在放大状态C、PNP管工作在放大状态
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考题 晶体管的发射结正偏时，晶体管一定工作在放大状态。
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考题 NPN型晶体管处于放大状态时，各级的电位关系是（）。A、UC﹥UE﹥UBB、UC﹥UB﹥UEC、UC﹤UB﹤UE
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考题 用万用表测量某电子线路中的晶体管测得VE=-3V、VCE=6V、VBC=-5.3V，则该管是（）。A、PNP型，处于放大工作状态B、PNP型处于截止工作状态C、NPN型，处于放大工作状态D、NPN型处于截止工作状态
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考题 NPN型晶体管处于放大状态时，各极电压关系是（）。A、UC＞UE＞UBB、UC＞UB＞UEC、UC＜UB＜UED、UC＜UE＜UB
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考题 在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为6V、1.2V、1V，则该管为（）A、NPN型硅管B、PNP型锗管C、NPN型锗管D、PNP型硅管
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考题 已知某三极管的三个电极对地电位为6V，2.7V，2V，则可判断该三极管的类型及工作状态为（）。A、NPN型，放大状态B、PNP型，截止状态C、NPN型，饱和状态D、PNP型，放大状态
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考题 当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC（）uB（）uE。
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考题 根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
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考题 晶体管的三种工作状态分别是：（）、（）、（）。晶体管用于模拟电路时一般工作在放大状态，用于数字电路时一般工作在（）和（）状态。
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考题 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结（）、集电结（）。
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考题 为了保证三极管工作在放大区，要求： ①发射结（）偏置，集电结（）偏置。 ②对于NPN型三极管，应使VBC（）。
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考题 共射基本放大电路中，若测得晶体管的VCQ≈VCC，则可以判别晶体管工作在（）A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、击穿状态
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考题 双极型晶体管工作在放大区偏置条件是（）增强型N沟道的场效应管工作在放大区的偏置条件是（）。
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考题 在放大电路中，晶体管工作在甲类状态导通角θ=（）
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考题 根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
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考题 对于双极型晶体三极管（简称晶体管），如下不正确的描述是（）。A、晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态B、晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区C、晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示D、晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态
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考题 NPN晶体管处于截止状态的条件是（）。A、UBE0.7VB、UBE0.7VC、UBE=0.7V
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考题 测得NPN型晶体三极管的极间电压UBE=0.7V、UCE=0.3V，则该管工作在（）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、反向放大状态
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考题 要使NPN晶体管放大器正常工作，必须是发射结和集电结都加正向偏压。
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考题 单选题NPN型晶体管处于放大状态时，管脚电位应有（）。A VC＞VE＞VBB VC＞VB＞VEC VC＞VB＞VED VB＞VE＞VC
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