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EPROM比EEPROM具有更快的擦除改写速度。


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考题 图2为常见ROM的分类图。图中标出的①、②、③、④相应的英文缩写是A.PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROMB.EPROM、EEPROM、PROM、Flash ROMC.EEPROM、Flash ROM、PROM、EPROMD.Flash ROM、PROM、EPROM、EEPROM

考题 下面的说法中,正确的是( )。A.EPROM是不能改写的B.EPROM是可改写的,所以也是一种读写存储器C.EPROM只能改写一次D.EPROM是可改写的,但它不能取代读写存储器

考题 图中标出的①、②、③、④相应的英文缩写是A.PROM、EPROM、EEPROM、FlashROMB.EPROM、EEPROM、PROM、FlashROMC.EEPROM、FlashROM、PROM、EPROMD.FlashROM、PROM、EPROM、EEPROM

考题 下面的说法中,正确的一条是( )。A.EPROM是不能改写的B.EPROM是可改写的,所以也是一种读写存储器C.EPROM是可改写的,但它不能作为读写存储器D.EPROM只能改写一次

考题 下列关于EPROM的叙述,正确的是A.EPROM是不可改写的只读存储器B.EPROM是可改写的随机存储器C.EPROM是利用电压变化可改写的读写存储器D.EPROM是可改写的只读存储器

考题 可用紫外光线擦除信息的存储器是()。 A. DRAM B. PROM C. EPROM D. EEPROM

考题 可以通过紫外线擦除其中内容,并可以多次改写的ROM是()A、掩膜ROMB、EEPROMC、Flash MemoryD、EPROM

考题 MROM指()只读存储器,PROM指()只读存储器,EPROM指()擦除PROM,EEPROM指()擦除PROM。

考题 可以多次擦除、多次改写的ROM是EPROM。

考题 具有电可擦除的只读存储器是()A、PROMB、KEPROMC、EPROMD、EEPROM

考题 EPROM是指()A、只读存储器B、可编程的只读存储器C、可擦除可编程的只读存储器D、电可改写只读存储器

考题 EEPROM与UV-EPROM比,其优点是什么?

考题 叙述EPROM的编程过程,说明EEPROM的编程过程。

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考题 说明ROM、EPROM、EEPROM和FLASH之间的主要区别。

考题 EPROM和EEPROM存储器的主要区别是什么?

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考题 8051单片机片内具有()和()RAM(ROM、RAM、EPROM、EEPROM)

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考题 EPROM中的信息是如何擦除的?

考题 在11型微机保护中用于存放整定值、程序、采样值和计算结果的 器件分别为:()A、EPROM;EEPROM;RAMB、EEPROM;EPROM;RAMC、RAM;EEPROM;EPROM

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考题 问答题说明ROM、EPROM、EEPROM和FLASH之间的主要区别。

考题 判断题可以多次擦除、多次改写的ROM是EPROM。A 对B 错

考题 填空题EPROM与EEPROM都可以()写入。

考题 问答题EEPROM与UV-EPROM比,其优点是什么?

考题 填空题MROM指()只读存储器,PROM指()只读存储器,EPROM指()擦除PROM,EEPROM指()擦除PROM。