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图中标出的①、②、③、④相应的英文缩写是

A．PROM、EPROM、EEPROM、FlashROM

B．EPROM、EEPROM、PROM、FlashROM

C．EEPROM、FlashROM、PROM、EPROM

D．FlashROM、PROM、EPROM、EEPROM

参考答案

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考题 图2为常见ROM的分类图。图中标出的①、②、③、④相应的英文缩写是A．PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROMB．EPROM、EEPROM、PROM、Flash ROMC．EEPROM、Flash ROM、PROM、EPROMD．Flash ROM、PROM、EPROM、EEPROM
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考题 随机存取存储器的英文缩写是()。 A、ROMB、OCC、RAMD、PROM
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考题 手机中的闪速ROM(FLASHROM)指的是()。 A、SRAMB、EPROMC、RAMD、EEPROM
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考题 PROM、PLA、和PAL三种可编程器件中,()是能编程的 A.PROM的或门阵列B.PAL的与门阵列C.PLA的与门阵列和或门阵列D.PROM的与门阵列
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考题 下图为常见ROM的分类图。图中标出的①、②、③、④相应的英文缩写是A．PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROMB．EPROM、EEPROM、PROM、Flash ROMC．EEPROM、Flash ROM、PROM、EPROMD．Flash ROM、PROM、EPROM、EEPROM
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考题 Flash ROM本质上是一个EEPROM。
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考题 1、下面发展历程正确的是：A．PAL àPROMàEPLD à CPLDàFPGAàSoCB．EPROMàEPLD àPAL àCPLDàFPGAàSoCC．PROMàPALàGALàEPLDà FPGA àSoCD．PROM àPLA àCPLD àFPGA àEPLD àSoC
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考题 10、对下列几种ROM芯片，描述正确的是（)A．PROM型存储芯片支持数据的写入操作，可对其多次写入数据B．FLASH芯片，可以实现芯片级、也可以实现比特级的数据擦除。C．EPROM存储芯片，采用电擦除方式，只能实现芯片级的数据擦除。D．EEPROM存储芯片，采用紫外线擦除方式，能实现芯片级和比特级的数据擦除。
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考题 对下列几种ROM芯片，描述正确的是（)A．PROM型存储芯片支持数据的写入操作，可对其多次写入数据B．FLASH芯片，可以实现芯片级、也可以实现比特级的数据擦除。C．EPROM存储芯片，采用电擦除方式，只能实现芯片级的数据擦除。D．EEPROM存储芯片，采用紫外线擦除方式，能实现芯片级和比特级的数据擦除。
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