考题
若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()
考题
P型半导体和N型半导体结合后便形成PN结，PN结中存在着（）种载流子的运动。A4B3C2D1
考题
由两种不同类型的半导体所形成的PN结具有（）导电性，其中N极接正，而P极接负的电压称为（）电压，此时PN结截止。
考题
半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
考题
用万用表测得三极管的任意二极间的电阻均很小，说明该管（）。A、两个PN结均击穿B、两个PN结均开路C、发射结击穿，集电结正常D、发射结正常，集电结击穿
考题
PN结的单向导电性就是：加正向电压时，PN结（）；加反向电压时，PN结（）。
考题
晶闸管有（）A、3个PN结3个电极B、2个PN结3个电极C、1个PN结3个电极D、3个PN结2个电极
考题
PN结加正向电压则：（）A、PN结变薄B、PN结变厚C、PN结不变
考题
PN结具有（）性能，即加正向电压时，PN结（）；加反向电压时，PN结（）。
考题
P型半导体和N型半导体结合后便形成PN结，PN结中存在着（）种载流子的运动。A、4B、3C、2D、1
考题
PN结具有（），即加正向电压时，PN结处于（），加反向电压时，PN结处于（）。
考题
PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
考题
在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于（）而产生的，漂移运动是（）作用下产生的。
考题
在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是（）作用下产生的，漂移运动是（）作用下产生的。
考题
当PN结外加正向电压时，PN结内多子（）形成较大的正向电流。
考题
PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。
考题
PN结反向偏置时，PN结的内电场（）。PN具有（）特性。
考题
下列（）情况说明三极管坏了。A、B、e极PN结正向电阻很小B、B、e极PN结反向电阻很大C、B、e极PN结正向电阻很大D、B、e极PN结正向反向电阻差别很大
考题
二极管是由（）构成的。A、1个PN结B、2个PN结C、3个PN结D、4个PN结
考题
单选题双极型晶体管有（）A
二个pn结B
一个pn结C
三个pn结D
没有pn结
考题
问答题PN结的寄生电容有几种，形成机理，对PN结的工作特性及使用的影响？