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2、关于杂质半导体，下列描述正确的是（）

A．在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

B．在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

C．在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子；

D．在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。

参考答案和解析
在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得 N 型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；
更多 “2、关于杂质半导体，下列描述正确的是（）A．在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；B．在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；C．在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子；D．在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。” 相关考题
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考题 在纯净的半导体中掺入不同的杂质，可形成两种不同的杂质半导体，即N型半导体和（）半导体。
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考题 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
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