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危害半导体工艺的典型金属杂质是()。
- A、2族金属
- B、碱金属
- C、合金金属
- D、稀有金属
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考题
二氧化硅薄膜厚度的测量方法有()。A、比色法B、双光干涉法C、椭圆偏振光法D、腐蚀法E、电容-电压法
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