考题
硅整流二极管的额定电压是指()。
A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、正向重复峰值电压
考题
晶闸管的额定电压是指()。
A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、正向不重复峰值电压
考题
选择晶闸管的型号一般根据:( )
A、额定电压和平均电流;B、额定电流和正向转折电压;C、额定电压和额定电流;D、平均电流和正向转折电压。
考题
晶闸管正向阻断峰值电压的数值,规定比正向转折电压小()。
A、100VB、120VC、150VD、180V
考题
晶闸管门极断路而器件的结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压称为（）峰值电压。A、断态重复B、断态不重复C、反向重复D、反向不重复
考题
晶闸管断态重复峰值电压（又称正向阻断峰值电压）的数值，规定比正向转折电压小（）V。A、100B、120C、150D、180
考题
晶闸管正向阻断峰值电压的数值，规定比正向转折电压小（）。
考题
允许重复加在晶闸管两端的电压为（）。A、正向转折电压的有效值B、反向转折电压的有效值C、正反向转折电压的峰值减去100VD、正反向转折电压的峰值
考题
断开控制极后，能保证晶闸管不导通而允许重复加在阳极与阴极间的正向峰值电压，称为正向阻断峰值电压。
考题
若晶闸管正向重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是（）V。 A、200B、500C、700D、1200
考题
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门即断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
考题
晶闸管反向转折电压与反向峰值电压的关系为（）A、反向峰值电压较小B、反向转折电压较大C、两者相等D、反向峰值电压大于反向转折电压
考题
晶闸管硬开通是在（）情况下发生的。A、阳极反向电压小于反向击穿电压B、阳极正向电压小于正向转折电压C、阳极正向电压大于正向转折电压D、阴极加正压，门极加反压
考题
晶闸管的断态重复峰值电压Udrm，不重复峰值电压Udsm和转折电压Ubo之间的大小关系是：Udrm〈Udsm〈Ubo。
考题
硅整流二极管的额定电压是指（）。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复平均电压D、正向不重复平均电压
考题
如某晶闸管的正向重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）。A、700VB、750VC、800VD、850V
考题
晶闸管的额定电压是指（）。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、以上答案均不对
考题
如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）。A、700VB、750VC、800VD、850V
考题
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向阻断峰值电压，其值低于转折电压。
考题
晶闸管的断态不重复峰值电压UDSM与转折电压UBO在数值大小上应为UDSM（）UBO。
考题
晶闸管的额定电压是在（）中取较小的一个。A、正向重复峰值电压B、正向转折电压C、反向不重复峰值电压D、反向重复峰值电压E、反向击穿电压
考题
若晶闸管正向重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。
考题
晶闸管的主要参数有（）。A、正向阻断峰值电压B、反向阻断峰值电压C、额定正向平均电流D、控制极触发电压
考题
一般地，晶闸管反向阻断峰值电压比正向阻断峰值电压大得多。
考题
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件下的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
考题
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件一的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
考题
填空题晶闸管正向阻断峰值电压的数值，规定比正向转折电压小（）。
考题
填空题晶闸管的断态不重复峰值电压UDSM与转折电压UBO在数值大小上应为UDSM（）UBO。