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EPROM采用了叠栅注入MOS管,写入时需要雪崩写入,而擦除时需要照射紫外线。


参考答案和解析
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考题 采用浮栅技术的EPROM中存储的数据是()可擦除的。 A、不B、紫外线C、电D、高压电

考题 EPROM是()A.随机存储器B.只读存储器C.可电擦除的存储器D.可紫外线擦除的存储器

考题 ROM是只读存储器。其中,可以读出,也可以写入,但是在- -次写操作之前必须用紫外线照射,以擦除所有信息然后再用編程器写入,可以写多次的ROM是( )。 A. EPROM B. PROM C. FEPROM D. EEPROM

考题 EPROM芯片的程序擦除需要()A、CPUB、高电压C、低电压D、紫外光

考题 可以通过紫外线擦除其中内容,并可以多次改写的ROM是()A、掩膜ROMB、EEPROMC、Flash MemoryD、EPROM

考题 半导体EPROM中写入的内容,可以通过()擦除。A、紫外线照射B、电信号C、口令D、DOS命令

考题 PROM是可编程只读存储器的缩写,它的内容()A、是用户用编程器一次性写入的,不能再改变B、可在紫外线灯的照射下擦除,反复多次地擦除和写入C、在写入新的内容时,原来的内容会自动清除,允许反复多次写入D、在其制造过程中确定,不允许再改变

考题 存储器EPROM里的数据是需要电池保持的。它的内容是电写入,紫外线擦除。

考题 半导体EPROM写入的内容,可以通过()擦除。A、紫外线照射B、电信号C、口令D、DOS命令

考题 EEPROM芯片写入的内容,可以通过紫外线擦除

考题 半导体EEPROM写入的内容,可以通过()擦除。A、紫外线照射B、电压C、口令D、DOS命令

考题 EEPROM是电擦除可编程只读存储器的缩写,它的内容也由用户写入,()A、是用户用编程器一次性写入的,不能再改变B、可在紫外线灯的照射下擦除,反复多次地擦除和写入C、在写入新的内容时,原来的内容会自动清除,允许反复多次写入D、在其制造过程中确定,不允许再改变

考题 ROM又称掩膜只读存储器,它存储的内容()A、是用户用编程器一次性写入的,不能再改变B、可在紫外线灯的照射下擦除,反复多次地擦除和写入C、在写入新的内容时,原来的内容会自动清除,允许反复多次写入D、在其制造过程中确定,不允许再改变

考题 EPROM是()A、随机存储器B、只读存储器C、可电擦除的存储器D、可紫外线擦除的存储器

考题 E2PROM不需紫外线能擦除,如2816在写入时就能自动完成擦除。

考题 7系列EPROM存储的数据是()可擦除的。A、不B、电C、紫外线D、融断器

考题 内核中程序要通过紫外线才能擦除的程序存储器为()。A、RAMB、FLASHC、动态MOS型RAMD、EPROM

考题 存储器芯片内容通过紫外线州照射,可擦除所有信息,然后还可写入新的信息,并可多次使用的是()。A、EPROMB、PROMC、ROMD、CDROM

考题 存储器芯片内容通过紫外线州照射,可擦除所有信息,然后还可写入新的信息,并可多次使用的是()。A、EPROMB、PROMC、ROM

考题 单选题半导体EPROM写入的内容,可以通过()擦除。A 紫外线照射B 电信号C 口令D DOS命令

考题 单选题()的数据只能被读取而不能写入,如果要更改,就需要紫外线来擦除。A RAMB ROMC CacheD BTM

考题 问答题请判断下面的叙述中,哪些是正确的? (1)半导体ROM是一种非易失性存储器。 (2)半导体存储器是非永久性存储器,断电时不能保存信息。 (3)同SRAM相比,由于DRAM需要刷新,所以功耗大。 (4)由于DRAM靠电容存储电荷,所以需要定期刷新。 (5)双极型RAM不仅存取速度快,而且集成度高。 (6)目前常用的EPROM是用浮动栅雪崩注入型MOS管构成,称为FAMOS型EPROM,该类型的EPROM出厂时存储的全是“1”。

考题 单选题EPROM芯片的程序擦除需要()A CPUB 高电压C 低电压D 紫外光

考题 单选题半导体EEPROM写入的内容,可以通过()擦除。A 紫外线照射B 电压C 口令D DOS命令

考题 单选题EPROM是()A 随机存储器B 只读存储器C 可电擦除的存储器D 可紫外线擦除的存储器

考题 单选题EPROM存贮器既可读出信息,又可重新写入信息,不将其称为RAM存贮器,其原因有多种但下面有一种原因是不成立的( )A EPROM读出方式与写入方式不一样,RAM一样B EPROM不能在执行程序中实现写入操作,RAM可以C EPROM写入前需要用紫外线照射,RAM不要D EPROM中使用的存贮材料是光学材料,而RAM的半导体材料

考题 单选题采用浮栅技术的EPROM中存储的数据是()可擦除的。A 不B 紫外线C 电D 高压电

考题 单选题7系列EPROM存储的数据是()可擦除的。A 不B 电C 紫外线D 融断器