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金属半导体接触形成欧姆接触的主要机理是()。

A.整流效应

B.雪崩效应

C.隧道效应

D.以上都不对


参考答案和解析
在不考虑表面态的时候,重掺杂的pn结可以产生显著的隧道电流。金属和半导体接触时,如果半导体掺杂浓度很高,则势垒区宽度很薄,电子也要通过隧道效应贯穿势垒产生相当大的隧道电流,甚至超过热电子发射电流而成为电流的主要成分。当隧道电流占主导地位时,它的接触电阻可以很小,可以用作欧姆接触。所以,当半导体重掺杂时,它与金属的接触可以形成接近理想的欧姆接触。
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