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分子电离一个电子形成的离子所产生的峰叫 离子峰。


参考答案和解析
A
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考题 关于分子离子,下列叙述正确的是:()。 A、质量数最大的峰为分子离子峰B、相对强度最大的峰为分子离子峰C、质量数第二大的峰为分子离子峰D、分子离子的质量数服从氮律

考题 关于质谱图中的分子离子峰,下列说法正确的是()。 A、处于质谱图最右端的峰一定是分子离子峰B、不含氮的有机化合物其分子离子峰一定是偶数C、含偶数个氮的有机化合物其分子离子峰一定是偶数D、分子离子峰可用于推断化合物的分子式

考题 掌握质谱解析的相关知识对质谱结果的分析是重要的。关于分子离子的叙述错误的是A、在电子轰击下,有机物分子失去一个电子所形成的离子叫分子离子B、环状化合物比较稳定,分子离子峰较强C、支链较易碎裂,分子离子峰就弱D、化合物分子稳定性差,键长,分子离子峰强E、芳香化合物往往都有较强的分子离子峰关于碎片离子的叙述错误的是A、碎片离子是分子碎裂产生的B、游离基引发的断裂(α断裂)可产生碎片离子C、正电荷引发的断裂(诱导断裂或i断裂)可产生碎片离子D、σ断裂可产生碎片离子E、环烯的断裂--逆狄尔斯-阿德尔反应可产生碎片离子下列叙述正确的是A、有些离子不是由简单断裂产生的,而是发生了原子或基团的重排,这样产生的离子称为碎片离子B、一个分子只有一个质谱峰C、分子离子是碎片离子碎裂产生的D、游离基引发的断裂(α断裂)可产生分子离子E、由同位素形成的离子峰叫同位素峰

考题 关于分子离子峰,下面说法正确的是( )。A是丰度最大的峰B不含氮或含偶数氮的化合物,分子离子峰必为偶数C在质谱图的最右端的离子峰D分子离子峰含偶数电子

考题 蒽醌MS特征是A、分子离子峰为M-COB、分子离子峰为基峰C、分子离子峰为M-2COD、分子离子峰为M-OHE、分子离子峰为M-2OH

考题 游离蒽醌母核质谱特征是()A、分子离子峰多为基峰B、有[M-CO]+峰C、有[M-2CO]+峰D、有双电荷离子峰E、未见分子离子峰

考题 下列说法正确的是()。A、质量数最大的峰为分子离子峰B、强度最大的峰为分子离子峰C、质量数第二大的峰为分子离子峰D、降低电离室的轰击能量,强度增加的峰为分子离子峰

考题 试指出下面哪一种说法是正确的?()A、质量数最大的峰为分子离子峰B、强度最大的峰为分子离子峰C、质量数第二大的峰为分子离子峰D、降低电离室的轰击能量,强度增加的峰为分子离子峰

考题 质谱图中不可能出现的有:()A、分子离子峰;B、同位素离子峰;C、碎片离子峰;D、带有自由基的分子碎片峰。

考题 一般质谱图上,荷质比最大的峰为()。A、分子离子峰B、碎片离子峰C、亚稳离子峰D、同位素离子峰

考题 判断分子离子峰的正确方法是()A、增加进样量,分子离子峰强度增加B、谱图中强度最大的峰C、质荷比最大的峰D、降低电子轰击电压,分子离子峰强度增加

考题 化学电离源属于软电离技术,因此在C1—MS中最强峰通常是准分子离子峰。

考题 在质谱中出现的非整数质荷比的谱峰可能是()A、重排离子峰B、准分子离子峰C、亚稳离子峰D、分子离子峰

考题 辨认分子离子峰,以下几种说法不正确的是()A、分子离子峰是质谱图中质量最大的峰B、某些化合物的分子离子峰可能在质谱图中不出现C、分子离子峰一定是质谱图中质量最大、丰度最大的峰D、分子离子峰的丰度大小与其稳定性有关

考题 在质谱图中,被称为基峰或标准峰的是()A、分子离子峰B、质荷比最大的峰C、强度最大的离子峰D、强度最小的离子峰

考题 质谱图中强度最大的峰,规定其相对强度为l00%,称为()A、分子离子峰B、基峰C、亚稳离子峰D、准分子离子峰

考题 样品分子被打掉一个电子形成分子离子;分子离子进一步发生化学键断裂形成碎片离子;分子离子发生结构重排形成重排离子;通过分子离子反应生成加合离子的哪种电离方式?()A、电喷雾电离B、电子轰击电离C、化学电离D、大气压光电离

考题 下列哪一个不是EI电子轰击源的特点?()A、易于实现,所得质谱图的再现性好B、准分子离子峰强,碎片离子峰少且强度低C、当样品分子稳定性不高时,分子离子峰的强度弱,甚至没有分子离子峰D、当样品不能气化或遇热分解时,则更看不见分子离子峰

考题 下列关于化学电离的说法哪一个是不正确的?()A、是通过活化离子与分子的碰撞使样品分子发生电离的B、只可以产生M+H的准分子离子C、准分子离子峰强度高碎片离子少D、适合于容易气化,且不发生分解的样品的分析

考题 下列说法哪一个是错误的?()A、MALDI是利用离子的质荷比与离子的飞行时间成反比来检测离子的B、ESI可以产生多电荷母离子的子离子,产生比单电荷离子的子离子更多的结构信息C、快速原子轰击是一种软电离技术,易于得到准分子离子峰D、场解吸所得质谱的特点:准分子离子峰强,碎片离子少

考题 下列离子源用于获取碎片离子峰()A、化学电离源B、场致电离源C、电子轰击离子源D、基质辅助激光解析电离

考题 下列电离源中,分子离子峰最弱的是()A、电子轰击源B、化学电离源C、场电离源D、电子轰击源或场电离源

考题 单选题判断分子离子峰的正确方法是()A 增加进样量,分子离子峰强度增加B 谱图中强度最大的峰C 质荷比最大的峰D 降低电子轰击电压,分子离子峰强度增加

考题 单选题下列电离源中,分子离子峰最弱的是()A 电子轰击源B 化学电离源C 场电离源D 电子轰击源或场电离源

考题 单选题在质谱中出现的非整数质荷比的谱峰可能是()A 重排离子峰B 准分子离子峰C 亚稳离子峰D 分子离子峰

考题 单选题质谱图中强度最大的峰,规定其相对强度为l00%,称为()A 分子离子峰B 基峰C 亚稳离子峰D 准分子离子峰

考题 判断题化学电离源属于软电离技术,因此在C1—MS中最强峰通常是准分子离子峰。A 对B 错

考题 单选题下列离子源用于获取碎片离子峰()A 化学电离源B 场致电离源C 电子轰击离子源D 基质辅助激光解析电离