网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）

关于MOS电容，以下说法正确的是

A．MOS电容是固定电容

B．MOS电容就是MOS栅氧化层电容

C．MOS电容在高频和低频时的特性是不一样的

D．随着栅电压增加，MOS电容会减小

参考答案和解析
MOS 电容在高频和低频时的特性是不一样的
更多 “关于MOS电容，以下说法正确的是A．MOS电容是固定电容B．MOS电容就是MOS栅氧化层电容C．MOS电容在高频和低频时的特性是不一样的D．随着栅电压增加，MOS电容会减小” 相关考题
考题 下列关于集成电路发展过程中的主要分类说法正确的是()。 A.单极型集成电路以TTL为主B.单极型集成电路以MOS为主C.TTL是双极型集成电路中用得最多的一种D.MOS是双极型集成电路中用得最多的一种
查看答案
考题 以下关于电容的说法,正确的是()。 A、容抗只有在正弦交流电路中才有意义B、容抗等于电容元件两端任一时刻的电压与电流的商C、电容元件接收的平均功率为零D、日光灯的起辉器就是一个电容
查看答案
考题 下列关于振荡频率说法正确的是（）。A、电感量越大振荡频率越大B、由电感量和电容量决定C、电容量越大振荡频率越大D、以上种说法都正确
查看答案
考题 关于交流电路中的电容元件，其中不正确说法是（）。A、电容是储能元件B、电容元件可视作开路C、通过电容元件中的电流不等于零D、电容元件能储存电场能量
查看答案
考题 一个MOS管当栅极与漏极短接时，该MOS管可以作为（）。A、二极管B、负载电容C、负载电感D、有源负载
查看答案
考题 下列关于电容器正确的说法是（）A、电容越大，表明电容器储存电荷的能力越强B、电容器具有通交隔直作用C、几个电容串联，等效电容表现为增大D、对平板电容来说，其电容与极板面积成正比，与极板间距成反比
查看答案
考题 关于串联补偿装置的串联电容器例行试验以下说法正确的是（）。A、要求逐台进行测量B、极对壳绝缘电阻不低于2500MWC、电容量与出厂值的差异不超过±5％D、试验基准周期为3年
查看答案
考题 构成CCD的基本元件是（）A、P型硅B、PN结C、发光二极管D、MOS电容器
查看答案
考题 关于电容器的安全防护等级，以下说法正确的是。（）A、（P2）表示该类电容器设计成失效时仅呈开路状态，并且是防火或防爆的B、（P1）表示该类电容器失效时可呈开路状态或短路状态，并且是防火或防爆的C、（P0）表示该类电容器无专门的故障保护D、以上说法都正确
查看答案
考题 动态RAM的基本存储电路是（）。A、双稳态触发器B、电容器C、MOS管D、晶体管
查看答案
考题 由单管MOS和分布电容构成的DRAM 只能存储一位信息。
查看答案
考题 以下关于电容的说法，正确的是（）。A、容抗只有在正弦交流电路中才有意义B、容抗等于电容元件两端任一时刻的电压与电流的商C、电容元件接收的平均功率为零D、日光灯的起辉器主要就是一个电容
查看答案
考题 开关电容滤波器包含：（）。A、MOS开关B、MOS运放C、电容D、电阻
查看答案
考题 光敏二极管与MOS电容相比，具有（）、（）、（）、（）等优点。
查看答案
考题 构成CCD的基本单元是（）。A、P型硅B、PN结C、光敏二极管D、MOS电容器
查看答案
考题 构成CCD的基本单元是（）A、P型硅B、PN结C、光电二极管D、MOS电容器
查看答案
考题 CCD图像传感器是按一定规律排列的MOS电容器组成的阵列。
查看答案
考题 关于TFO功能的描述以下哪些说法是正确的（）A、开启该功能，利于MS与MSC间的通话MOS的提升，提升用户感知度B、TFO功能开启需核心网支持C、TFOSupport是小区级参数D、iBSC6.20200f后版本该功能已经默认打开
查看答案
考题 源极及衬底接地时，MOS管栅极（）。A、对地阻抗极大B、对地有数uF的电容C、对地有很高的电压D、以上都正确
查看答案
考题 关于电容器的电容，下列说法正确的是（）。A、电容器的电容与板上所带电量成正比B、电容器的电容与板间电压成反比C、平行板电容器的电容与两板正对面积成正比D、平行板电容器的电容与两板间距离成正比
查看答案
考题 关于电容器的串联下列说法正确的是（）。A、等效电容量的倒数等于各电容器量的倒数和B、电容大的电容器分的电压小C、电容小的电容器分的电压小D、各电容器上所带的电容量相等
查看答案
考题 问答题MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容？MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容？
查看答案
考题 判断题器件电容决定MOS晶体管的动态特性，门电容和源漏结电容是主要的确定因素。A 对B 错
查看答案
考题 多选题关于高宽长比MOS管的版图，下列说法正确的是（）A高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。B高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。C高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。D高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。
查看答案
考题 问答题MOS电容的大小取决于哪些参数？
查看答案
考题 填空题光敏二极管与MOS电容相比，具有（）、（）、（）、（）等优点。
查看答案
考题 单选题关于电容，下列说法正确的是（）A 电容器没带电的时候没有电容。B 电容器带电的时候才有电容。C 电容与电容器是否带电没关系。D 电容器带电越多，电容就越大。
查看答案
考题 判断题由单管MOS和分布电容构成的DRAM 只能存储一位信息。A 对B 错
查看答案
热门标签
最新试卷