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源极及衬底接地时,MOS管栅极()。
- A、对地阻抗极大
- B、对地有数uF的电容
- C、对地有很高的电压
- D、以上都正确
参考答案
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考题
多选题关于高宽长比MOS管的版图,下列说法正确的是()A高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。B高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。C高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。D高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。
考题
问答题MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外,还与哪些因素有关?
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