考题
场效应管的工作原理是()
A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
考题
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。
A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管
考题
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。
A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
考题
场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。
A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
考题
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制
考题
绝缘栅场效应管的栅极与源极和（）之间是完全绝缘的。A、漏极B、正极C、负极D、源极
考题
晶闸管导通的条件为（）。A、在阳极和阴极之间加上正向电压B、在控制极上加上适当的正向电压C、在阳极和阴极之间加上正向电压，在控制极上加上适当的正向电压
考题
晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管（）。A、发射结为反向偏置B、集电结为正向偏置C、始终工作在放大区
考题
NPN型三极管基本放大电路在线性放大区工作时，应当发射结正向偏置，集电结反向偏置。
考题
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
考题
双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是（）接法。A、共基极B、共源极C、共漏极D、共栅极
考题
双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结（）、集电结（）。
考题
双极型晶体管（BJT）放大偏置时，应在其发射结加（）电压，在集电结加（）电压。
考题
为了保证三极管工作在放大区，要求： ①发射结（）偏置，集电结（）偏置。 ②对于NPN型三极管，应使VBC（）。
考题
双极型三极管是（）控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加（）偏置，集电结需要加（）偏置。场效应管是（）控制器件。
考题
对于结型场效应管，栅源极之间的PN结（）A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以任意偏置
考题
双极型晶体管工作在放大区偏置条件是（）增强型N沟道的场效应管工作在放大区的偏置条件是（）。
考题
结型场效应管用作放大时，其栅源极之间应加（）电压。
考题
场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
考题
场效应管栅源间的输入电阻比晶体三极管基射间的输入电阻（）。源极输出电路的重要特点是（），（）和（）。
考题
双极型三极管是（）控制器件，当其工作在放大区时发射极需要加（）偏置电压，集电极需要加（）偏置电压；场效应管是（）控制器件。
考题
三极管工作在放大区的条件是外加电源的极性应使三极管发射结反向偏置，集电极正向偏置。
考题
场效应管的源极S、栅极G、漏极D，分别对应于晶体管的（）。A、射极、基极和集电极B、基极、射极和集电极C、集电极、基极和射极
考题
光电二极管加（）电压能产生电流，发光二极管（）电压下工作。A、反向偏置，正向偏置B、正向偏置，反向偏置C、正向偏置，正向偏置D、反向偏置，反向偏置
考题
单选题结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道电阻。A
反偏电压B
反向电流C
正偏电压D
正向电流
考题
单选题晶闸管导通的条件是（）。A
在阳极和阴极之间加上正向电压B
在控制极上加上适当的正向电压C
在阳极和阴极之间加上正向电压，在控制极上加上适当的反向电压D
在阳极和阴极之间加上正向电压，在控制极上加上适当的正向电压
考题
单选题晶闸管导通的条件为（）。A
在阳极和阴极之间加上正向电压B
在控制极上加上适当的正向电压C
在阳极和阴极之间加上正向电压，在控制极上加上适当的正向电压