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单选题
结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道电阻。
A

反偏电压

B

反向电流

C

正偏电压

D

正向电流

参考答案

参考解析
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考题 场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。 A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道
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考题 增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
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考题 场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
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考题 结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
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考题 结型场效应管工作在线性区时，有放大作用。它是用栅源间的电压控制漏极电流的。由它构成的放大电路（），并有一定的电压放大倍数。A、输入电阻很大；B、输入电阻很小；C、输出电阻很大；D、输出电阻很小。
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考题 结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
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考题 结型场效应管利用删源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。A、反偏电压B、反向电流C、正偏电压D、正向电流
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考题 结型场效应管的基本工作原理是（）A、改变导电沟道中的载流子浓度B、改变导电沟道中的横截面积C、改变导电沟道中的有效长度D、改变导电沟道中的体积
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考题 耗尽型场效应管在uGS=0时也会在漏、源极之间形成导电沟道。
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考题 结型场效应管的工作实质是通过改变UGS来控制沟道电阻的大小，从而实现UGS和ID的控制。
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考题 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
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考题 当uGS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。
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考题 使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。
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考题 当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。
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考题 对于结型场效应管，栅源极之间的PN结（）A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以任意偏置
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考题 根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。
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考题 结型场效应管用作放大时，其栅源极之间应加（）电压。
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考题 场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。
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考题 场效应管栅源间的输入电阻比晶体三极管基射间的输入电阻（）。源极输出电路的重要特点是（），（）和（）。
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考题 结型场效应管的栅、源极之间应加（）电压。
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考题 （）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。A、半导体二极管；B、晶体三极管；C、场效应晶体管；D、双向晶闸管。
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考题 利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。
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考题 单选题（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。A 半导体二极管；B 晶体三极管；C 场效应晶体管；D 双向晶闸管。
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