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如下所述，门极可关断晶闸管GTO半导体结构是：

A．门极可关断晶闸管GTO不是PNPN四层的半导体结构。

B．门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。

C．门极可关断晶闸管GTO与晶闸管SCR的半导体结构不一样。

D．门极可关断晶闸管GTO是PPPN或PNNN四层半导体结构。

参考答案和解析
C
更多 “如下所述，门极可关断晶闸管GTO半导体结构是：A．门极可关断晶闸管GTO不是PNPN四层的半导体结构。B．门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。C．门极可关断晶闸管GTO与晶闸管SCR的半导体结构不一样。D．门极可关断晶闸管GTO是PPPN或PNNN四层半导体结构。” 相关考题
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考题 GTO指的是( )。A、电力场效应晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、电力晶体管D、门极可关断晶闸管
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考题 下列选项是门极可关断晶闸管的标识的是()。 A.FSTB.TRIACC.RCTD.GTO
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考题 逆导晶闸管是一种具有自关断能力的闸流特性功率半导体器件。()
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考题 可关断晶闸管GTO的开关频率范围为()。 A、1~5KHzB、1~2KHzC、20KHzD、220KHz
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考题 图1所示的图形符号表示的电力电子器件是()。：A、普通晶闸管B、电力场效应管C、门极可关断晶闸管D、绝缘栅双极晶体管
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考题 可关断晶闸管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
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考题 晶闸管元件导通后，去除门极信号，晶闸管元件关断。
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考题 对于门极关断晶闸管，当门极加上正触发脉冲时可使晶闸管导通，而当门极加上足够的负脉冲时又可使导通着的晶闸管关断。
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考题 晶闸管的门极叙述正确的是（）。A、控制晶闸管的导通和关断B、控制晶闸管的导通，不能控制关断C、控制晶闸管的关断，不能控制导通D、控制其阴阳极的电流大小
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考题 说明GTO的开通和关断原理。与普通晶闸管相比较有何不同？
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考题 GTO晶闸管的门极控制电路包括门极开通电路、（）和反偏电路。
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考题 集成门极换流晶闸管的英文缩写是（）。A、IGBTB、IGCTC、GTRD、GTO
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考题 晶闸管是通过（）作用来实行开通与关断的双稳态半导体器件。
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考题 可关断晶闸管GTO的门极电路由（）组成。A、门极开通电路B、门极关断电路C、门极反偏电路D、RCD吸收电路
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考题 门极关断晶闸管GTO工作频率不高，关断控制容易失败。
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考题 GTO的关断是靠门极加负信号出现门极反向电流来实现的。
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考题 为什么GTO的内部结构与普通晶闸管相似，但却可以通过施加门极负电流使其关断？
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考题 在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。
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考题 门极可关断的晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件，属于（）器件。A、不可控型B、半控型C、全控型D、以上答案全错
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考题 门极关断晶闸管（GTO）与普通晶闸管相似，但结构上把阴极宽度减薄并采用台式结构，因而通过在门极加反压就能关断，但是GTO晶闸管还存在哪些问题？
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考题 问答题门极关断晶闸管（GTO）与普通晶闸管相似，但结构上把阴极宽度减薄并采用台式结构，因而通过在门极加反压就能关断，但是GTO晶闸管还存在哪些问题？
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考题 单选题可关断晶闸管的英语缩写是（）。A “IGBT”B “BJT”C “GTO”D “MOSFET”
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考题 问答题为什么GTO的内部结构与普通晶闸管相似，但却可以通过施加门极负电流使其关断？
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考题 填空题晶闸管是通过（）作用来实行开通与关断的双稳态半导体器件。
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考题 判断题门极关断晶闸管GTO工作频率不高，关断控制容易失败。A 对B 错
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考题 填空题GTO的关断是靠门极加（）出现门极（）来实现的。
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考题 单选题（）的英文缩写是GTR。A 电力二极管B 门极可关断晶闸管C 电力晶体管D 电力场效应晶体管
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