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晶体三极管工作在截止区时，发射结和集电结均为 。

A．正向偏置

B．反向偏置

C．零偏置

D．不能确定

参考答案和解析
正向偏置
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考题 晶体三极管工作于放大区的条件是()。 A、集电结和发射结都反偏B、集电结反偏、发射结正偏C、集电结和发射结都正偏D、集电结正偏、发射结反偏
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考题 如果晶体三极管的(),则该管工作于饱和区。 A、发射结正偏置，集电结反偏置B、发射结正偏置，集电结正偏置C、发射结反偏置，集电结正偏置D、发射结反偏置，集电结反偏置
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考题 晶体三极管工作在饱和区,发射结、集电结的偏置应()。 A、发射结正向偏置，集电结反向偏置B、发射结正向偏置，集电结正向偏置C、发射结反向偏置，集电结反向偏置D、发射结反向偏置，集电结正向偏置
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考题 晶体三极管工作在截止状态时的特点是()。 A.发射结反向偏置，集电结正向偏置B.发射结正向偏置，集电结反向偏置C.结和集电结都处于反向偏置D.结和集电结都处于正向偏置发射
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考题 如果晶体三极管的（），则该管工作于截止区。A.发射结正偏，集电结反偏 B.发射结正偏，集电结正偏 C.发射结反偏，集电结正偏 D.发射结反偏，集电结反偏
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考题 晶体三极管工作在饱和状态时，满足（）A.发射结、集电结均正偏 B.发射结、集电结均反偏 C.发射结正偏、集电结反偏 D.发射结反偏、集电结正偏
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考题 双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
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考题 晶体三极管的发射结为正偏置，集电结为正偏时，晶体三极管处于（）工作状态。A、放大B、截止C、饱和
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考题 三极管工作在截止模式时要求（）A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
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考题 晶体三极管发射结加正偏压，集电结加正偏压，工作在（）。A、放大区B、截止EC、饱和区D、确定
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考题 晶体三极管截止区的特点是：发射结、集电结均处于正偏状态。
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考题 晶体三极管工作在放大状态时，应满足（）。A、发射结、集电结均正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
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考题 晶体三极管要处于截止状态必须满足（）。A、发射结集电结构正偏B、发射结集电结均反偏C、发射结正偏集电结反偏D、发射结反偏集电结正偏
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考题 晶体三极管发射结反偏置、集电结处于偏置，晶体三极管处于（）工作状态。A、放大B、截止C、饱和D、开路
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考题 晶体三极管工作在放大区时，集电结（），发射结应（）。
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考题 晶体三极管发射结加正偏压、集电结加正偏压时，工作在截止区，具有开关特性。
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考题 晶体三极管发射结加负偏压。集电结加正偏压，工作在（）。A、放大区B、截止区C、饱和区D、不确定
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考题 晶体三极管工作在放大区时，发射结电压（）偏，集电结电压（）偏。
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考题 当硅晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，该管工作在（）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、无能确定
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考题 晶体三极管工作在饱和区时，发射结正偏，集电结（）
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考题 晶体三极管工作在饱和区时，要求（）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
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考题 晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
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考题 三极管工作在放大状态时，发射结应（）偏置，集电结应（）偏置。若工作在饱和状态时，发射结应（）偏置，集电结应（）偏置。若工作在截止状态时，发射结应（）偏置，集电结应（）偏置。
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考题 晶体三极管工作于饱和状态时，则（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
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考题 晶体三极管基极电流保持不变，当（）时，三极管工作在截止区。A、发射结加正向电压，集电结加反向电压；B、发射结加正向电压，集电结加正向电压；C、发射结加反向电压，集电结加反向电压；D、发射结加反向电压，集电结加正向电压。
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考题 晶体三极管基极电流保持不变，当（）时，三极管工作在饱和区。A、发射结加正向电压，集电结加反向电压；B、发射结加正向电压，集电结加正向电压；C、发射结加反向电压，集电结加反向电压；D、发射结加反向电压，集电结加正向电压。
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考题 如工作在截止区时，三极管两个结的偏置是（）A、发射结加正向电压，集电结加反向电压B、发射结加反向电压，集电结加正向电压C、发射结加反向电压，集电结加反向电压
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考题 单选题如果晶体三极管的（），则该管工作于饱和区。A 发射结正偏置，集电结反偏置B 发射结正偏置，集电结正偏置C 发射结反偏置，集电结正偏置D 发射结反偏置，集电结反偏置
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