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成核-生长相变的阻力主要来自于新相与母相间形成界面所增加的界面能,以及由于新相和母相之间的比体积不同而产生的应变能,与其他相变相比,成核-生长相变的阻力更大。


参考答案和解析
D
更多 “成核-生长相变的阻力主要来自于新相与母相间形成界面所增加的界面能,以及由于新相和母相之间的比体积不同而产生的应变能,与其他相变相比,成核-生长相变的阻力更大。” 相关考题
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考题 相变是指()之间的转变过程。A、相与相B、组织与组织C、晶体与晶体D、晶胞与晶胞

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考题 系统中相与相间存在明显界面,同一物质如果处于不同的聚集状态也形成不同的相。

考题 两相之间的自由能差值是发生相变的驱动力。

考题 马氏体相变的最大阻力是表面能的增加。

考题 简述固态相变过程中界面应变能产生的原因。

考题 在成核-生长机制的液-固相变过程中,其成核过程有非均匀成核与均匀成核之分。将非均匀成核与均匀成核过程的成核势垒相比较,有如下关系()。A、非均匀成核势垒≥均匀成核势垒B、非均匀成核势垒≤均匀成核势垒C、非均匀成核势垒=均匀成核势垒D、视具体情况而定,以上三种均可能。

考题 简述固态相变形成新相的形状与界面能和界面应变能的关系。

考题 要发生相变必须过冷。过冷度ΔT(),临界晶胚半径rK(),越()形成新相。

考题 液-固相变时,非均匀成核位垒与接触角θ有关,当θ为()时,非均匀成核位垒与均匀成核位垒相等。

考题 马氏体相变具有什么特征?它和成核-生成相变有何差别?

考题 均匀成核,二级相变

考题 非均匀成核, 一级相变

考题 明界面能和弹性应变能对第二相形状的影响。如果新旧相之间的界面为共格、半共格、非共格界面,新相易于生成什么形状?

考题 成核生长机理的相变过程需要有一定的过冷或过热,相变才能发生,在()情况下需要过冷。

考题 问答题说明斯宾那多分解相变和成核-生长相变的主要区别?

考题 单选题成核-长大型相变是材料中常见的一种相变,如结晶釉的形成。成核-长大型相变是由()的浓度起伏开始发生相变,并形成新相核心。A 程度大,范围小B 程度小,范围小C 程度大,范围大D 以上均不正确

考题 名词解释题均匀成核,二级相变

考题 判断题马氏体相变的最大阻力是表面能的增加。A 对B 错

考题 问答题简述固态相变形成新相的形状与界面能和界面应变能的关系。

考题 单选题结晶相变过程,形成临界半径大小的新相,需物系做功,其值等于新界面能的()。A 2/3B 1/3C 1/2D 1/4

考题 问答题简述固态相变过程中界面应变能产生的原因。

考题 问答题马氏体相变具有什么特征?它和成核-生成相变有何差别?

考题 单选题在成核-生长区。如果单相液体不存在界面,则形成新相核的界面必须消耗功。此功大小随界面能的增加而(),随过冷度的增加而()。A 增大;增大B 增大;不变C 增大;减小D 不变;减小

考题 填空题液-固相变时,非均匀成核位垒与接触角θ有关,当θ为()时,非均匀成核位垒与均匀成核位垒相等。

考题 填空题成核生长机理的相变过程需要有一定的过冷或过热,相变才能发生,在()情况下需要过冷。

考题 填空题根据马氏体相变的定义,在相变过程中,只要形成单变体马氏体并排除其他阻力,材料经过()及其逆相变,就会表现出()。