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1、FeO在氧化气氛下，形成n型半导体。

参考答案和解析
p 型
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考题 在本征半导体中加入( )元素可形成N型半导体。 A.三价B四价C五价
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考题 在纯净的半导体硅中加入少量的三价元素,形成()。 A、P型半导体B、N型半导体C、绝缘体D、导体
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考题 在纯净半导体中,掺入三价元素,就会形成()型半导体,如掺入五价元素,就会形成()型半导体。 A、P,NB、N,PC、P,PD、N,N
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考题 在纯净的半导体硅中加人少量的三价元素,形成()。 A.P型半导体B.N型半导体C.绝缘体D.导体
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考题 在本征半导体中加入三价元素可形成N型半导体,加入五价元素可形成P型半导体。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 冲天炉炉渣中FeO含量高，铁水氧化气氛大，对提高铸件质量有利。
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考题 在纯净的半导体材料中掺入微量五价元素磷，可形成（）。A、N型半导体B、PN结C、P型半导体D、导体
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考题 酸性烧结矿中FeO含量高，硅酸铁高，所以较难还原，球团矿一般在氧化气氛中焙烧，FeO含量少，故还原性好。
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考题 N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
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考题 在N型半导体和P型半导体的交界面附件形成的具有特殊导电性能的薄层称为（）。
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考题 在杂质半导体中，（）是掺入三价元素形成的。A、本征半导体B、PN结C、N型半导体D、P型半导体
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考题 关于N型半导体的下列说法，错误的是：（）A、自由电了是多数载流子B、在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C、在纯净的硅晶体中三价元素硼，可形成N型半导体D、在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
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考题 UO2+x在氧化气氛中可形成（）型非计量化合物，可形成（）型半导体，缺陷浓度与氧分压的1/6次方成（），如果减少周围氧气的分压，UO2+x的密度将（）
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考题 TiO2在还原气氛中可形成（）型非计量化合物，可形成（）型半导体，缺陷浓度与氧分压的1/6次方成（），如果减少周围氧气的分压，TiO2-x的密度将（）
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考题 在纯净的半导体硅中加人少量的三价元素，形成（）。 A、P型半导体B、N型半导体C、绝缘体
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考题 在本征半导体中掺入少量的三价元素杂质就形成（）。A、P型半导体B、N型半导体C、异性半导体D、C型半导体
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考题 在纯净的半导体中掺入不同的杂质，可形成两种不同的杂质半导体，即N型半导体和（）半导体。
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考题 在半导体中掺入五价磷原子后形成的半导体称为（）。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、化合物半导体
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考题 在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（）A、P型半导体，其少子为自由电子B、N型半导体，其多子为自由电子C、P型半导体，其少子为空穴D、N型半导体，其多子为空穴
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考题 在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。A、二B、三C、四D、五
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考题 在纯净的半导体中加入少量的+5价元素，形成（）A、本征半导体B、N型半导体C、P型半导体D、杂质半导体
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考题 在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。（）A、五价B、四价C、三价
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考题 当（）后，就形成了PN结.A、N型半导体内均匀掺入少量磷B、P型半导体内均匀掺入少量硼C、P型半导体和N型半导体紧密结合D、P型半导体靠近N型半导体
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考题 N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
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考题 单选题在氧化气氛下，FeO形成非化学计量化合物，铁空位浓度与氧分压关系为（）。A 1/6B -1/6C 1/4D -1/4
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考题 单选题关于N型半导体的下列说法，错误的是（）。A 自由电了是多数载流子B 在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C 在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体D 在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
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考题 单选题关于N型半导体的下列说法，正确的是（）。A 只存在一种载流子：自由电子B 在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C 在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体D 在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成
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考题 填空题UO2+x在氧化气氛中可形成（）型非计量化合物，可形成（）型半导体，缺陷浓度与氧分压的1/6次方成（），如果减少周围氧气的分压，UO2+x的密度将（）
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