考题
绝缘栅型场效应管的输入电流不为零。()
此题为判断题(对，错)。
考题
结型场效应管发生预夹断后,管子()
A、关断B、进入恒流区C、进入饱和区D、可变电阻区
考题
场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD( )。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0
考题
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。
A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
考题
结型场效应管的类型有()。
A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
考题
在功率管开通过程中，使功率管的电流为零，或限制其电流的上升，从而减小电流与电压的交迭区域，称为（）.A、零电流开启B、零电流关断C、零电压开启D、零电压关断
考题
下列关于场效应管的说法中，错误的是： A、场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）B、场效应管工作于放大状态时，结型场效应管的栅极与源极之间的PN结是正向偏置C、一般来说，场效应管的输入电阻都比较高，结型高达107Ω，绝缘型高达109ΩD、场效应管具有输入电阻高、温度稳定性好、噪声小等优点E、一般来说，场效应管的放大能力大都比较弱
考题
增强型场效应管的最大特点是只有UGS小于零时，管子才有电流。
考题
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制
考题
触发导通的晶闸管，当阳极电流减小到低于维持电流时，晶闸管（）。A、继续维持导通B、先关断后导通C、转为关断D、不确定
考题
结型场效应管的工作是通过改变（）来控制管子的（）。
考题
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
考题
结型场效应管利用删源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。A、反偏电压B、反向电流C、正偏电压D、正向电流
考题
N沟道结型场效应管的夹断电压VP为（）。A、正值B、负值C、零
考题
使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。
考题
对于结型场效应管，栅源极之间的PN结（）A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以任意偏置
考题
场效应管中，Idss表示栅源电压为零时的（）电流。
考题
当场效应管被预夹断后，ID将随VDS的增大而（）A、增大B、减小C、不变D、略微增大
考题
当开关关断时，使电流先下降到零后，电压再缓慢上升到通态值，所以关断时不会产生损耗和噪声，这种关断方式称为（）。A、零电压开通B、零电流开通C、零电压关断D、零电流关断
考题
根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。
考题
晶闸管的关断条件是阳极电流小于管子的擎住电流。
考题
绝缘栅型场效应管的输入电流（）。A、较大B、较小C、为零D、无法判断
考题
单选题结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道电阻。A
反偏电压B
反向电流C
正偏电压D
正向电流
考题
单选题当开关关断时，使电流先下降到零后，电压再缓慢上升到通态值，所以关断时不会产生损耗和噪声，这种关断方式称为（）。A
零电压开通B
零电流开通C
零电压关断D
零电流关断
考题
单选题（）是与开关并联的电容能延缓开关关断后电压上升的速率，从而降低关断损耗。A
零电压开通B
零电压关断C
零电流开通D
零电流关断
考题
单选题绝缘栅型场效应管的输入电流（）。A
较大B
较小C
为零D
无法判断
考题
单选题（）是使开关开通前，其两端电压为零，开通时不会产生损耗和噪声。A
零电压开通B
零电压关断C
零电流开通D
零电流关断