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4、压阻式固态压力传感器是利用半导体材料的______效应,在压力作用下,半导体膜片产生变形,电阻值发生变化。四个半导体应变片可以组成全桥。


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考题 ()的基本工作原理是基于压阻效应。 A、金属应变片B、半导体应变片C、压敏电阻D、光敏电阻

考题 ()的工作原理是基于压阻效应 A、丝式电阻应变片B、箔式电阻应变片C、半导体应变片D、直角形栅应变片

考题 半导体应变片的工作原理基于半导体材料的热阻效应。()

考题 压阻式压力传感器是利用半导体材料的()和集成电路工艺制成的传感器。

考题 半导体压敏电阻式增压压力传感器在()作用下,膜片会产生应力,应变电阻的阻值会发生变化。A、进气压力B、排气压力C、压气机D、涡轮

考题 半导体压敏电阻式增压压力传感器当发动机运转时,进气流作用在硅膜片上,使硅膜片产生应力,应变电阻的阻值会发生变化,电桥输出()也随之变化。A、电流B、电压C、电阻D、电容

考题 压阻式压力传感器是利用()的原理(半导体材料受压时电阻车发生变化)直接将压力转换为电信号A、压阻效应B、光电效应C、电磁感应D、霍尔效应

考题 下列()变送器是利用半导体的压阻效应。A、应变式B、压电式C、压阻式D、电容式

考题 半导体应变片的工作原理是基于().A、压电效应B、压磁效应C、压阻效应

考题 压阻式压力传感器是根据半导体材料(单晶硅)的()原理制成的传感器。A、压电效应B、压阻效应C、电量变化D、电容变化

考题 压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。

考题 半导体应变片的工作原理是基于()。A、压阻效应B、热电效应C、压电效应D、压磁效应

考题 金属导体或半导体在外力作用下产生机械变形而引起导体或半导体的电阻值发生变化的物理现象称为()。

考题 ()的工作原理是基于压阻效应。A、金属应变片B、半导体应变片C、变阻器

考题 半导体应变片传感器的工作原理是基于()效应,它的灵敏系数比金属应变片的灵敏系数();压阻效应是指()半导体材料在沿着某一轴向受到()作用时,其()发生变化的现象。涡电流式传感器的工作原理是利用金属导体在交变磁场中的()效应。

考题 金属导体或半导体在外力作用下产生机械变形而引起导体或半导体的电阻值发生变化的物理现象称为()A、光电效应B、压电效应C、压阻效应D、应变效应

考题 压阻式传感器是利用半导体材料压阻效应制作的电阻式应变传感器,其性能优于金属应变效应制作的电阻式应变传感器,主要用于压力测量。

考题 半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的霍尔效应。

考题 半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的()。A、压阻效应;B、应变效应;C、霍耳效应;D、光电效应

考题 利用压阻效应制造的应变片叫做()。A、绕丝式应变片B、箔式应变片C、半导体应变片D、短接式应变片

考题 单选题()传感器是当导体在外力作用下产生机械变形时,它的电阻值相应发生变化。A 变极距式B 金属电阻应变片式C 线绕变阻式D 半导体应变片

考题 单选题金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是()A 金属应变片主要利用压阻效应B 金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化C 半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化D 半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高,但非线性误差大。

考题 单选题利用压阻效应制造的应变片叫做()。A 绕丝式应变片B 箔式应变片C 半导体应变片D 短接式应变片

考题 单选题半导体压敏电阻式进气压力传感器的压力转换元件是利用半导体的()制成的硅膜片。A 压阻效应B 光电效应C 压电效应D 磁阻效应

考题 填空题半导体压敏电阻式压力传感器是利用半导体的()效应制成的。

考题 单选题半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的()。A 弹性模量B 热电效应C 压电效应D 压阻效应

考题 单选题半导体应变片的工作原理是基于().A 压电效应B 压磁效应C 压阻效应

考题 填空题导体或半导体材料在外界力的作用下,会产生机械变形,其电阻值也将随着发生变化,这种现象称为应变效应。应变片传感器由电阻应变片和()两部分组成。