考题
用电设备外壳,必须进行()。
A、降温B、保护接地C、保证绝缘D、清洗
考题
在划分时,如果划分的母项外延大于划分子项外延之和,就要犯()的错误;违背“每次划分必须按同一标准进行”的规则,就会犯()的错误。
考题
利用外延生长技术在衬底上形成所需的外延层后,还要经过什么工艺,才能形成一颗颗独立的LED芯片?
考题
正确划分应当遵循以下规则()。
A.按同一标准进行B.各子项外延之和应等于母项外延C.按层次逐级进行D.子项必须相互排斥，不能相容
考题
烘炉必须按规程规定的升温速度进行,降温则可以自然降温。()
此题为判断题(对，错)。
考题
新建、改扩建矿井设计时,必须进行()预测计算,超温地点必须有(),配齐降温设施。
考题
外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。
考题
输血时，护理记录中必须有哪些？（）A、取血时间B、取血人C、输血开始时间D、观察输血的全过程E、输血结束时间
考题
堆取料机作业以前必须进行空载运行正常以后才能进行堆取料作业。
考题
系统降压、降温必须按要求的速率，并按（）的顺序进行。
考题
硅外延生长工艺包括（）。A、衬底制备B、原位HCl腐蚀C、生长温度，生长压力，生长速度D、尾气的处理
考题
延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
考题
外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
考题
LED的材料制备包括什么（）。A、外延片的制备B、衬底材料的制备C、外延片的生长D、衬底材料的生长
考题
腐蚀倒片前作业员必须确认频率标签的烧杯编号与所取烧杯一致，不可随意取烧杯内的晶片进行腐蚀。
考题
划分时，如果划分母项的外延大于划分各子项外延之和，就要犯（ ）的错误；违背“每次划分必须按同一标准进行”的规则，就会犯（）的错误。
考题
填空题划分时，如果划分母项的外延大于划分各子项外延之和，就要犯（ ）的错误；违背“每次划分必须按同一标准进行”的规则，就会犯（）的错误。
考题
判断题高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。A
对B
错
考题
问答题金属有机物气相外延生长和一般的气相外延生长的最大区别是什么？
考题
问答题简述气相外延生长（VPE，vapor phase epitoxy）的原理。
考题
判断题划分子项的外延之和必须等于划分母项的外延。A
对B
错
考题
判断题通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。A
对B
错