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2、关于光照下PN结的伏安特性，下列说法正确的是（）　（多选） A 第一象限中，PN结处于正向偏压作用下，作为光伏探测器工作在这个区域是没有意义的 B 第三象限中，PN结在反向偏压作用下，这种工作模式为光电导模式 C 第四象限中，PN结无外加偏压，这种工作模式称为光伏模式 D 以上说法都不正确

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考题 PN结两端反向偏压时、难以进行()。 A、多子扩散B、少子扩散C、多子漂移D、少子漂移
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考题 稳压管的稳压性能是利用（ ）实现的。A.PN结的单向导电性 B.PN结的反向击穿特性 C.PN结的正向导通特性 D.PN工艺特性
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考题 半导体材料做成的激光器，当激光器的PN结上外加的正向偏压足够大时，将使得PN结的结区出现了高能级粒子多、低能级粒子少的分布状态，这是粒子数反转分布状态。()
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考题 PN结P极接外电源正，N极接外电源负叫做反向偏压。
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考题 硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
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考题 稳压管是利用（）特性来实现稳压功能的。A、PN结的单向导电B、PN结的反向击穿C、PN结的正向导通D、结电容使波形平滑
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考题 PN结加正向电压则：（）A、PN结变薄B、PN结变厚C、PN结不变
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考题 PN结具有（）性能，即加正向电压时，PN结（）；加反向电压时，PN结（）。
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考题 晶体二极管是由一个（）作为管芯，其最主要的电特性是（）：加正向电压时PN结处于（）状态，加反向电压PN结处于（）状态。
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考题 PN结具有（），即加正向电压时，PN结处于（），加反向电压时，PN结处于（）。
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考题 光源器件都是爱PN结上加（）偏压，而光电检测器都是在PN结上加（）偏压，在APD上是加（）。
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考题 PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
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考题 PN结在外加反方向电压的作用下，耗尽层（），流过PN结的电流（）。
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考题 把PN结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做（）特性。
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考题 PN结的伏安特性方程可以描述其正向特性和反向特性，也可以描述其击穿特性。
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考题 PN结外加正向电压时其空间电荷区宽度将（），PN结中（）电流占优势。
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考题 当PN结外加正向电压时，PN结内多子（）形成较大的正向电流。
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考题 PN结反向偏置时，PN结的内电场（）。PN具有（）特性。
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考题 半导体稳压管的稳压作用是利用（）A、PN结单向导电性实现的B、PN结的反向击穿特性实现的C、PN结的正向导通特性实现的D、PN结的反向截止特性实现的
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考题 下列（）情况说明三极管坏了。A、B、e极PN结正向电阻很小B、B、e极PN结反向电阻很大C、B、e极PN结正向电阻很大D、B、e极PN结正向反向电阻差别很大
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考题 单选题关于半导体光伏器件，以下说法正确的是：（）A 光电二极管通常工作在其伏安特性曲线的第一象限；B 光电二极管通常工作在其伏安特性曲线的第四象限C 光电池通常工作在其伏安特性曲线的第一象限；D 光电池通常工作在其伏安特性曲线的第四象限；
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