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现代集成电路其最基本的结构单元为____________MOS场效应管。

A．镁-氧-硅

B．金属-油脂-固体

C．金属-氧化物-半导体

D．金属-绝缘体-半导体

参考答案和解析
对
更多 “现代集成电路其最基本的结构单元为____________MOS场效应管。A．镁-氧-硅B．金属-油脂-固体C．金属-氧化物-半导体D．金属-绝缘体-半导体” 相关考题
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考题 下列关于集成电路发展过程中的主要分类说法正确的是()。 A.单极型集成电路以TTL为主B.单极型集成电路以MOS为主C.TTL是双极型集成电路中用得最多的一种D.MOS是双极型集成电路中用得最多的一种
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考题 MOS场效应管有增强型与耗尽型。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 MOS集成门电路是绝缘栅场效应管组成的集成电路。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
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考题 CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管集成电路。此题为判断题(对，错)。
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考题 在大规模集成电路的制造中，更多采用的是MOS工艺集成电路，而不是双极型集成电路。
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考题 单极型集成电路不包含（）.A、普通晶体管（NPN管或PNP管）B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS（即CMOS）
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考题 双栅MOS场效应管因为反馈电容比常规（单栅）MOS场效应管低两个数量级，因而能在甚高频率和超高范围内稳定地工作。
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考题 MOS集成电路按其形式有NMOS和PMOS两种。
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考题 TTL集成电路，（）。A、采用的是金属-半导体-MOS场效应管逻辑B、采用的是晶体管-晶体管逻辑C、电源一般为+5VD、电源一般为-5VE、电源一般为+9V
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考题 结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 在检测MOS场效应管时，应注意防止人体感应电压击穿元件。
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考题 MOS场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻（）。
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考题 MOS场效应管的输入电阻比J型场效应管的输入电阻（）得多。
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考题 衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
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考题 UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管
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考题 某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
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考题 MOS场效应管的输入电流为（）。
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考题 MOS场效应管按导电沟道划分为N和（）两大类。
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考题 更具结构不同，场效应管分为（）A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管
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考题 MOS场效应管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
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考题 下列电路属于单极型器件集成的应是（）.A、TTL集成电路B、HTL集成电路C、MOS集成电路
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考题 对于场效应电子器件（场效应管、（）），为防止静电击穿或静电寄存，在没有采取防静电措施时不要触摸它。A、MOS集成电路B、HTL集成电路C、TTL集成电路D、分立电路
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考题 填空题现代主流的集成电路加工技术为CMOS工艺，即最基本的器件是由（）和NMOS组成。
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考题 单选题MOS场效应管的英语缩写是（）。A “IGBT”B “BJT”C “GTO”D “MOSFET”
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