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名词解释题
比生产速率Qp

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考题 下列均为液体内沉淀试验的是A.絮状沉淀试验、免疫透射比浊法、双向扩散试验B.环状沉淀反应、单向扩散试验、速率散射比浊法C.双向扩散试验、单向扩散试验、速率散射比浊法D.免疫透射比浊法、絮状沉淀试验、速率散射比浊法E.速率散射比浊法、肥达试验、絮状沉淀试验

考题 因Qp=ΔU,Qv=ΔH,所以Qp与Qv都是状态函数。() 此题为判断题(对,错)。

考题 下述化学平衡A(g)+B(g)=C(g),在相同的温度下,若体积增加至3/2,则压力商Qp和平衡常数Kp的关系为() A.Qp=2KpB.Qp=2/3KpC.Qp=3/2KpD.Qp=Kp

考题 球头挂环是专用连接金具,用来连接球型髙压悬式绝缘子上端铁帽的分为用于圆环连接的Q型和用于螺栓平面接触的QP型。适用于XP-7型高压悬式绝缘子的型号为()型。 A.Q-7B.QP-7C.QP-10D.Q-7、Q-10E.QP-7、QP-10

考题 成人室间隔缺损需手术治疗的指征是()。 A.Qp/Qs 1.3B.Qp/Qs= 1.5~2.0C.Qp/Qs= 1.3~1.5D.Qp/Qs 2.0E.合并重度肺动脉高压

考题 因QP=ΔH,QV=ΔU,所以QP与QV都是状态函数。()

考题 在选择电器时,电器允许的热效应Qp和短路电流通过电器时短路电流的最大热效应Qk之间应满足的关系是( )A.Qp≥QkB.Qp>QkC.Qp≤QkD.Qp

考题 正反应能自发进行和反应达平衡的条件分别为()A、QpKp,△G0B、QpKp,△G0C、Qp〈Kp,△G〈0D、Qp〈Kp,△G0E、Qp=Kp,△G=0

考题 球头挂环是专用连接金具,用来连接球型髙压悬式绝缘子上端铁帽的分为用于圆环连接的Q型和用于螺栓平面接触的QP型。适用于XP-7型高压悬式绝缘子的型号为()型。A、Q-7B、QP-7C、QP-10D、Q-7、Q-10E、QP-7、QP-10

考题 DF11G机车提手柄1位,卸载灯灭,其得电顺序为()。A、1KD1、2QP、1QP、7KM、1KM1-6、8KMB、2QP、1QP、1KD1、7KM、1KM1-6、8KMC、1KD1、2QP、1QP、7KM、8KM、1KM1-6

考题 当VC-4帧速率比AU-4帧速率高时,通过指针的()来降低VC的帧速率;当VC-4帧速率比AU-4帧速率低时,通过指针的()来提高VC的帧速率。

考题 将某理想气体从温度T1加热到T2,若此变化为非恒压途径,Qp应为何值?()A、Qp=0B、Qp=Cp(T2-T1)C、Qp不存在D、Qp等于其他值

考题 质量计划、工作计划、任务单分别是()A、QP、WP、TLB、TL、QP、WPC、WP、QP、TLD、QP、TL、WP

考题 Qp=ΔH的条件是()。

考题 细胞的比生长速率

考题 基质消耗比速率

考题 全速率寻呼信道的功率比半速率寻呼信道功率低。

考题 下列均为液体内沉淀试验的是()A、絮状沉淀试验、免疫透射比浊法、双向扩散试验B、环状沉淀反应、单向扩散试验、速率散射比浊法C、双向扩散试验、单向扩散试验、速率散射比浊法D、免疫透射比浊法、絮状沉淀试验、速率散射比浊法E、速率散射比浊法、肥达试验、絮状沉淀试验

考题 比生长速率

考题 产物比生产速率(qp,g(或mo1)/g菌体·h)

考题 菌体的生长比速(比生长速率)

考题 在分批培养过程中静止期菌体的浓度变化为零因此()A、比生长速率为零B、比死亡速率为零C、产物浓度变化为零D、比死亡速率等于比生长速率

考题 单选题在分批培养过程中静止期菌体的浓度变化为零因此()A 比生长速率为零B 比死亡速率为零C 产物浓度变化为零D 比死亡速率等于比生长速率

考题 单选题质量计划、工作计划、任务单分别是()A QP、WP、TLB TL、QP、WPC WP、QP、TLD QP、TL、WP

考题 名词解释题产物比生产速率(qp,g(或mo1)/g菌体·h)

考题 单选题下列均为液体内沉淀试验的是()。A 絮状沉淀试验、免疫透射比浊法、双向扩散试验B 环状沉淀反应、单向扩散试验、速率散射比浊法C 双向扩散试验、单向扩散试验、速率散射比浊法D 免疫透射比浊法、絮状沉淀试验、速率散射比浊法E 速率散射比浊法、肥达试验、絮状沉淀试验

考题 判断题只要20QP或50QP之一在库用位,即可在库内动车。A 对B 错