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单选题
保护下列哪些区域的神经元是急性脑梗死治疗成功的关键？（）
A

梗死病灶区

B

病灶中心坏死区

C

缺血半暗带区

D

梗死周围正常脑区

E

脑缺血敏感带

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考题 关于细胞毒性脑水肿描述，错误的是()。A、多由脑缺血缺氧引起B、常见于超急性脑梗死或急性、亚急性脑梗死病灶的周围C、脑组织缺血初期以细胞毒性水肿为主，随后出现血管源性水肿D、T1WI信号变化不如T2WI敏感E、DWI技术是目前检出细胞毒性脑水肿最敏感的方法，呈现高信号，ADC值明显升高
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考题 脑梗死的表现A.病灶区rCBF增高B.病灶区rCBF减低C.普通脑显像见异常减低区D.普通脑显像出现“新月”征E.普通脑显像见弥漫性放射性增加
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考题 缺血半暗带是指缺血区／梗死区≥1.8或错配体积()。 A.>5mlB.>10mlC.>15mlD.>20mlE.>25ml
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考题 下列哪种病变不是缺血性脑病的病变 ( ) A、三支大脑动脉血供边缘带的脑梗死B、海马区梗死及硬化C、基底节梗死D、大脑皮质层状坏死E、全大脑梗死，形成呼吸器脑
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考题 对急性脑梗死治疗成功的关键是____________。抢救缺血半暗带的关键是______________，减轻再灌注损伤核心是________________。
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考题 简述脑梗死的缺血中心区和缺血半暗带？早期改善缺血半暗带对脑梗死预后有何意义？
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考题 脑梗死超早期溶栓治疗主要是为了（）。A、防治并发症B、减少梗死核心区C、抢救半暗带组织D、清除自由基
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考题 保护下列哪些区域的神经元是急性脑梗死治疗成功的关键（）？A、梗死病灶区B、病灶中心坏死区C、缺血半暗带区D、梗死周围正常脑区E、脑缺血敏感带
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考题 脑梗死CT增强表现，错误的描述为（）A、脑回状强化B、病灶周围增强、中心增强、部分强化C、按血管分布区强化D、强化沿白质延伸E、同时累及灰白质
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考题 简述脑梗死半暗带治疗时间窗？
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考题 CT灌注成像可被应用于（）A、急性或超急性脑局部缺血的诊断B、脑梗死及缺血半暗带的判断C、脑瘤新生血管的观察D、急性心肌缺血的研究E、肝、胰、肾脏血流的研究
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考题 SPECT脑血流灌注显像过度灌注现象的描述错误的是（）。A、在一些缺血性病变病灶周围可出现放射性浓聚区B、可以出现在短暂性脑缺血发作的病灶旁C、可以出现在脑梗死亚急性期的病灶旁D、可以出现在脑梗死亚慢性期的病灶旁E、可以出现在脑梗死病灶中央
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考题 单选题SPECT脑血流灌注显像过度灌注现象的描述不正确的是（　　）。A 可以出现在脑梗死亚慢性期的病灶旁B 在一些缺血性病变病灶周围可出现放射性浓聚区C 可以出现在脑梗死亚急性期的病灶旁D 可以出现在短暂性脑缺血发作的病灶旁E 可以出现在脑梗死病灶中央
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考题 单选题脑梗死超早期溶栓治疗主要是为了（）。A 防治并发症B 减少梗死核心区C 抢救半暗带组织D 清除自由基
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考题 填空题对急性脑梗死治疗成功的关键是____________。抢救缺血半暗带的关键是______________，减轻再灌注损伤核心是________________。
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考题 单选题SPECT脑血流灌注显像过度灌注现象的描述错误的是（）。A 在一些缺血性病变病灶周围可出现放射性浓聚区B 可以出现在短暂性脑缺血发作的病灶旁C 可以出现在脑梗死亚急性期的病灶旁D 可以出现在脑梗死亚慢性期的病灶旁E 可以出现在脑梗死病灶中央
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考题 单选题脑缺血半暗带MRI，错误的是（　　）。A 局部脑血流量减低B 脑组织处于低代谢状态C 位于脑缺血的周边D 出现在脑缺血早期E 缺血区病变范围小于坏死区
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考题 单选题评估脑梗死缺血半暗带的方法是（）A DWIB PWIC DWI＋PWID DWI＋MRAE PWI＋MRA
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考题 单选题下列哪种病变不是缺血性脑病的病变（）A 三支大脑动脉血供边缘带的脑梗死B 海马区梗死及硬化C 基底节梗死D 大脑皮质层状坏死E 全大脑梗死，形成呼吸器脑
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考题 单选题保护下列哪些区域的神经元是急性脑梗死治疗成功的关键？（）A 梗死病灶区B 病灶中心坏死区C 缺血半暗带区D 梗死周围正常脑区E 脑缺血敏感带
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考题 单选题关于细胞毒性脑水肿描述，错误的是（）A 多由脑缺血缺氧引起B 常见于超急性脑梗死或急性、亚急性脑梗死病灶的周围C 脑组织缺血初期以细胞毒性水肿为主，随后出现血管源性水肿D T1WI信号变化不如T2WI敏感E DWI技术是目前检出细胞毒性脑水肿最敏感的方法，呈现高信号，ADC值明显升高
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