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填空题
压阻效应是指单晶半导体材料在沿某一轴向受到外力作用时,其()发生变化。

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考题 电阻应变片是基于导体、半导体材料在外力作用下发生机械形变导致其电阻值发生变化的原理。() 此题为判断题(对,错)。

考题 压电材料当受到外力作用时,内部产生极化,在某些表面上出现电荷,这种现象称为()。 A、压电效应B、压阻效应C、涡电流效应D、逆压电效应

考题 电阻应变片利用导体、半导体材料在外力作用下发生机械形变,导致其电阻值发生变化的原理。() 此题为判断题(对,错)。

考题 屈服压力是指气瓶在内压作用下,简体材料开始沿()全面屈服时的压力。A.轴向B.纵向C.横向D.壁厚

考题 压电效应是指某些单晶或多晶材料在交变()作用下,晶体中含产生交变()的效应。

考题 材料是单晶锗和单晶硅的半导体称为本征半导体。()

考题 压阻式压力传感器是利用()的原理(半导体材料受压时电阻车发生变化)直接将压力转换为电信号A、压阻效应B、光电效应C、电磁感应D、霍尔效应

考题 机械强度是指金属材料在受到外力作用时抵抗()和破坏的()

考题 指材料在承受应变时,其几何尺寸发生变化而导致发生变化的现象,称为();指材料在承受应变时,其自身电阻率发生变化而导致电阻发生变化的现象,称为()。

考题 压阻式压力传感器是根据半导体材料(单晶硅)的()原理制成的传感器。A、压电效应B、压阻效应C、电量变化D、电容变化

考题 压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。

考题 压阻式微传感器是在单晶半导体膜片适当部位扩散形成力敏电阻而构成的。

考题 屈服压力是指气瓶在内压作用下,简体材料开始沿()全面屈服时的压力。A、轴向B、纵向C、横向D、壁厚

考题 发电机定子绝缘外表面防晕层所用材料,在槽中部为高阻半导体材料,在端部为低阻半导体材料。

考题 ()电阻应变片式传感器按制造材料可分为()材料和()材料。它们在受到外力作用时电阻发生变化,其中的电阻变化主要是由()形成的。

考题 应变式传感器在外力作用下发生(),压阻式传感器在外力作用下其()发生变化,两者都将引起输出电阻的变化。

考题 外光电效应是指受光照物体(通常为半导体材料)电导率发生变化或产生光电动势的效应。

考题 半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。

考题 半导体应变片传感器的工作原理是基于()效应,它的灵敏系数比金属应变片的灵敏系数();压阻效应是指()半导体材料在沿着某一轴向受到()作用时,其()发生变化的现象。涡电流式传感器的工作原理是利用金属导体在交变磁场中的()效应。

考题 金属导体或半导体在外力作用下产生机械变形而引起导体或半导体的电阻值发生变化的物理现象称为()A、光电效应B、压电效应C、压阻效应D、应变效应

考题 压电材料按一定方向放置在交变电场中,其几何尺寸将随之发生变化,这称为()效应。A、压电B、压阻C、压磁D、逆压电

考题 一些铁磁材料受到外力作用后,其内部产生应力,因此引起铁磁材料磁导率变化的物理现象称为()。 A、压阻效应B、压电效应C、磁阻效应D、压磁效应

考题 单选题屈服压力是指气瓶在内压作用下,简体材料开始沿()全面屈服时的压力。A 轴向B 纵向C 横向D 壁厚

考题 填空题指材料在承受应变时,其几何尺寸发生变化而导致发生变化的现象,称为();指材料在承受应变时,其自身电阻率发生变化而导致电阻发生变化的现象,称为()。

考题 判断题压阻式微传感器是在单晶半导体膜片适当部位扩散形成力敏电阻而构成的。A 对B 错

考题 判断题外光电效应是指受光照物体(通常为半导体材料)电导率发生变化或产生光电动势的效应。A 对B 错

考题 填空题光电导效应是当材料受到光照后,其()发生变化的现象。