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名词解释题
位错密度

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考题 在自控系统中,仪表位号首位为F代表流量,D代表密度。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 实际金属中位错密度越大、晶界和亚晶界越多，其强度越高。()
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考题 浮球式液位计的液位示值与被测介质的密度有关。( )此题为判断题(对，错)。
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考题 用压力变送器测量容器液位，测量结果（）。A、与容器液位高低有关而与容器压力、介质密度无关B、与容器液位高低、介质密度有关而与容器压力无关C、与容器压力、介质密度有关而与容器液位高低无关D、与容器压力、介质密度及容器液位高低三者都有关
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考题 矿粉密度和相对密度计算应该精确至小数点后（）A、1位B、2位C、3位D、示情况掌握
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考题 对于金属晶体来说，增加位错密度或降低位错密度都能增加金属的强度。
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考题 手提式储罐量测仪可用于对储存高、低粘度油品的储罐进行（）测量。A、液位及温度B、温度及密度C、液位及密度D、液位、密度及温度
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考题 59B产品标准密度换算表的取位（kg/m3）：标准密度是（）分位，计量温度是（）分位。
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考题 利用钻井液密度计测量钻井液的密度时，可以精确到小数点后（）。A、2位B、3位C、4位D、5位
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考题 金属中的位错密度越（），则其强度越（），塑性越（）。
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考题 位错密度
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考题 Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是（）A、溶质原子再扩散到位错周围B、位错增殖的结果C、位错密度降低的结果
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考题 减小光电二极管的暗电流的方法有（）。A、加反偏工作电压B、选择位错密度较高的单晶材料C、加正偏电压D、选择位错密度较低的单晶材料
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考题 在回复阶段，位错密度可以显著降低。（）
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考题 位错密度的单位是（）A、cm2B、cm-3C、cmD、cm-2
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考题 点缺陷的种类有：（）；位错属于（），提高位错密度是（）的重要途径之一。
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考题 为什么陶瓷中位错的密度低于金属中，且陶瓷中位错的滑移系少于金属中？
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考题 单选题在晶体滑移过程中（）A 由于位错不断移出滑移面，位错密度随形变量的增加而减少B 由于位错的增殖，位错密度随形变量的增加而增高C 由于晶界不断吸收位错，位错密度随形变量的增加而减少D 由于位错的消失（移出滑移面）和增殖的共同作用，位错的密度基本不变
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考题 问答题位错的面密度是如何计算的？
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考题 单选题经过大量塑性变形后，由于位错密度增大和发生交互作用，位错分布不均，并使晶粒分化成许多位向略有差异的亚晶块，称为（）。A 小晶粒B 亚晶粒C 晶粒D 位错晶粒
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考题 判断题加工硬化或形变强化的本质是位错密度随变形量增大而增大，使位错运动更加困难。A 对B 错
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考题 判断题反应器料位可根据床层松密度来进行调节，松密度高，则床层料位控制高些。A 对B 错
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考题 单选题位错密度的单位是（）A cm2B cm-3C cmD cm-2
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考题 问答题为什么陶瓷中位错的密度低于金属中，且陶瓷中位错的滑移系少于金属中？
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考题 判断题在回复阶段，位错密度可以显著降低。（）A 对B 错
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考题 判断题差压式液位计进行液位检测时不受介质密度的影响。A 对B 错
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考题 单选题Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是（）A 溶质原子再扩散到位错周围B 位错增殖的结果C 位错密度降低的结果
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