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单选题
抑制性突触后电位（）
A

由突触前末梢递质释放减少而引起

B

使突触后膜电位远离阈电位水平

C

由突触后膜Na+电导增加而产生

D

由突触后膜Ca2+电导增加而产生

E

是一种去极化抑制的突触后电位

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考题 请简要说明抑制性突触后电位是怎样产生的?
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考题 膜对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位（ ）。
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考题 由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、抑制性突触后电位和局部电位C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
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考题 产生抑制性突触后电位的主要离子基础是（ ）。
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考题 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对（ ）的通透性增加所致。
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考题 试述兴奋性与抑制性突触后电位的作用与产生原理。
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考题 试述兴奋性突触后后电位和抑制性突触后电位的特征。
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考题 兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位形成的机制是什么？
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考题 抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。
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考题 抑制性突触后电位
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考题 抑制性突触后电位（IPSP）
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考题 判断题抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。A 对B 错
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考题 单选题由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括（）A 兴奋性突触后电位和局部电位B 抑制性突触后电位和局部电位C 兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D 兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E 兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
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考题 问答题兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位分别是如何产生的？
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考题 单选题关于棘慢复合波的产生机制，正确的是（　　）。A 棘波、慢波是由兴奋性突触后电位构成B 棘波、慢波是由抑制性突触后电位构成C 棘波是由抑制性突触后电位构成，慢波是由兴奋性突触后电位构成D 棘波是由兴奋性突触后电位构成，慢波是由抑制性突触后电位构成E 棘波、慢波是由突触前电位构成
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考题 名词解释题抑制性突触后电位（IPSP）
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考题 名词解释题抑制性突触后电位
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