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单选题
兴奋性突触后电位是在突触后膜产生（）
A

去极化

B

超极化

C

反极化

D

复极化

参考答案

参考解析
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考题 化学突触中的信息作用到突触后膜上的受体,转化为后膜的电位变化。请简要说明兴奋性突触后电位是怎样产生的?
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考题 对兴奋性突触后电位的叙述，错误的是A．突触前神经元释放兴奋性递质B．突触后膜产生除极化变化C．突触后膜对Ca2+通透性增加D．主要使突触后膜Na+内流E．兴奋只能由前膜向后膜传递
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考题 突触后膜对下列某种离子通透性增加产生兴奋性突触后电位,该离子是A.Ca2＋B.Na十 突触后膜对下列某种离子通透性增加产生兴奋性突触后电位，该离子是A.Ca2+B.Na十C.CFD.K+E.H+
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考题 兴奋性突触后电位A.突触前膜去极化 B.Ca2＋流入突触前膜的量C.递质释放 SXB 兴奋性突触后电位A.突触前膜去极化B.Ca2+流入突触前膜的量C.递质释放D.产生突触后电位E.Na+通透性增大
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考题 兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了（）的通透性。
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考题 兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了对下列哪种的离子通透性（ ）
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考题 下列对兴奋性突触后电位的叙述，正确的是A:突触前神经元释放抑制性递质 B:突触后膜主要对Ca2+通透性增加 C:突触后膜产生局部去极化 D:主要使突触后膜Cl-内流增加 E:兴奋由前膜向后膜或由后膜向前膜，呈双向传递
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考题 突触后膜对下列某种离子通透性增加产生兴奋性突触后电位，该离子是A.Ca2+B.Na+C.Cl-D.K+E.H+
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考题 兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是（）。A、突触前膜均去极化B、突触后膜均去极化C、突触前膜释放的递质性质一样D、突触后膜对离子通透性一样E、产生的突触后电位的最终效应一样
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考题 突触后抑制时，下列不会出现的是（）。A、突触前膜释放神经递质B、突触后膜Cl内流C、突触后膜超极化D、兴奋性突触后电位E、突触后膜的兴奋性降低
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考题 兴奋性突触后电位产生时，突触后膜出现的电改变是（）A、极化B、去极化C、超极化D、反极化E、复极化
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考题 突触后抑制时，下列情况不会出现的是（）。A、突触前膜释放神经递质B、突触后膜Cl-内流C、突触后膜超极化D、兴奋性突触后电位E、突触后膜的兴奋性降低
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考题 产生兴奋性突触后电位过程中，突触后膜对钠离子、钾离子、钙离子，特别是钾离子通透性升高。
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考题 神经递质与突触后膜受体结合后，使后膜对Na+的通透性提高，将引起后膜的电位变化是（）。A、兴奋性突触后电位B、抑制性突触后电位C、静息电位不变D、产生动作电位
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考题 能使突触后膜通透性改变，产生兴奋性突触后电位的主要离子是（）A、钠离子B、钾离子C、钙离子D、氯离子
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考题 神经递质与突触后膜受体结合后，使后膜对Na+通透性提高，将引起后膜的电位变化是（）A、兴奋性突触后电位B、抑制性突触后电位C、静息电位不变D、产生动作电位
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考题 兴奋性突触后电位产生时，突触后膜局部的变化为（）A、极化B、超极化C、反极化D、复极化E、去极化
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考题 兴奋性突触后电位是由于突触后膜出现了超级化。
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考题 兴奋性突触后电位是在突触后膜产生（）A、去极化B、超极化C、反极化D、复极化
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考题 产生兴奋性突触后电位（EPSP）的主要机制是（）A、突触前末梢递质释放增多B、需由中间神经元中介C、突触后膜K+电导降低D、突触后膜Na+电导增加E、突触后神经元受刺激而兴奋
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考题 单选题兴奋性突触后电位是在突触后膜产生（）A 去极化B 超极化C 反极化D 复极化
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考题 单选题产生兴奋性突触后电位（EPSP）的主要机制是（）A 突触前末梢递质释放增多B 需由中间神经元中介C 突触后膜K+电导降低D 突触后膜Na+电导增加E 突触后神经元受刺激而兴奋
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考题 单选题产生兴奋性突触后电位时，突触后膜对哪种离子通透性升高？（　　）A B C D E
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考题 多选题下列有关突触前抑制的叙述，正确的是：（）A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP（兴奋性突触后电位）幅度减小E引起突触后膜产生IPSP（抑制性突触后电位）幅度增大
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考题 单选题兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是（）。A 突触前膜均去极化B 突触后膜均去极化C 突触前膜释放的递质性质一样D 突触后膜对离子通透性一样E 产生的突触后电位的最终效应一样
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考题 单选题兴奋性突触后电位产生时，突触后膜出现的电改变是A 极化B 去极化C 超极化D 反极化E 复极化
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考题 单选题突触后膜对下列某种离子通透性增加产生兴奋性突触后电位，该离子是（　　）。A B C D E
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考题 单选题关于兴奋性突触后电位的说法，正确的是（　　）。A 即突触后神经元处于兴奋状态B 由突触后膜K＋电导增加而产生C 可随突触前递质释放增多而加大D 由突触后膜Ca2＋电导增加而产生E 由突触后膜K＋外流大于Na＋内流而产生
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