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单选题
当你正为一表面偏置操作加入一偏置距离时,什么将决定偏置的正方向()
A

矢量构造器

B

正的绝对坐标系轴之一

C

表面法向,指离实体

D

选择两个矢量箭头之一定义正方向


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
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考题 三极管处于截止状态时( )。 A.发射结正向偏置,集电结反向偏置B.发射结反向偏置,集电结反向偏置C.发射结正向偏置,集电结正向偏置D.发射结反向偏置,集电结正向偏置

考题 如果晶体三极管的(),则该管工作于饱和区。 A、发射结正偏置,集电结反偏置B、发射结正偏置,集电结正偏置C、发射结反偏置,集电结正偏置D、发射结反偏置,集电结反偏置

考题 什么是正向偏置和反向偏置?二极管在正向偏置和反向偏置时分别为什么状态?

考题 关于PIN和APD的偏置电压表述,正确的是()A.均为正向偏置B.均为反向偏置C.前者正偏,后者反偏D.前者反偏,后者正偏

考题 对PILOT_INC设置说明正确的是()。 A.如果设置过高,则可用的PN偏置将减少,PN偏置的重用距离将减小,从而可能引起同PN干扰B.如果设置太小(设置为1,总共有512个可用PN偏置),则容易发生邻PN干扰C.如果设置过高,则可用的PN偏置将减少,PN偏置的重用距离将减小,从而可能引起邻PN干扰D.如果设置太小(设置为1,总共有512个可用PN偏置),则容易发生同PN干扰

考题 体三极管用来放大时,应使 ()A、发射结处于反向偏置,集电结处于正向偏置。B、发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。C、发射结处于正向偏置,集电结处于正向偏置。D、发射结处于反向偏置,集电结处于反向偏置。

考题 工件零点偏置可根据需要,将所需的偏置量输入()中。A、基本地址寄存器B、偏置寄存器C、操作控制器

考题 晶体管工作在饱和区的条件是()。A、发射结正向偏置,集电结反向偏置B、发射结反向偏置,集电结正向偏置C、发射结正向偏置,集电结正向偏置D、发射结反向偏置,集电结反向偏置

考题 关于PIN和APD的偏置电压表述,正确的是()。A、均为正向偏置B、均为反向偏置C、前者正偏,后者反偏D、前者反偏,后者正偏

考题 三极管工作在放大状态时,发射结应()偏置,集电结应()偏置。若工作在饱和状态时,发射结应()偏置,集电结应()偏置。若工作在截止状态时,发射结应()偏置,集电结应()偏置。

考题 在GSK928数控系统中,G27指令执行后将消除系统的()A、系统坐标偏置B、刀具偏置C、系统坐标偏置和刀具偏置

考题 所谓三极管工作在倒置状态,是指三极管()。A、发射结正偏置,集电结反偏置B、发射结正偏置,集电结正偏置C、发射结反偏置,集电结正偏置D、发射结反偏置,集电结反偏置

考题 为了克服相位差引起的下滑道弯曲,下滑的上天线和下天线安装时应:()A、保持在同一轴线上B、上天线向跑道方向偏置,下天线离开跑道方向偏置C、下天线向跑道方向偏置,上天线离开跑道方向偏置D、上天线向上方偏置,下天线向下方向偏置

考题 光电二极管加()电压能产生电流,发光二极管()电压下工作。A、反向偏置,正向偏置B、正向偏置,反向偏置C、正向偏置,正向偏置D、反向偏置,反向偏置

考题 放大电路正常工作时要满足()。A、发射结集电结都正向偏置B、发射结反向偏置,集电结正向偏置C、发射结集电结都反向偏置D、发射结正向偏置,集电结反向偏置

考题 单选题下列关于“偏置曲面”的说法,哪个是正确的()。A 偏置值只能为正B 方向可以取反向C 偏置对象只能是实体表面D 偏置对象只能是片体

考题 单选题如果晶体三极管的(),则该管工作于饱和区。A 发射结正偏置,集电结反偏置B 发射结正偏置,集电结正偏置C 发射结反偏置,集电结正偏置D 发射结反偏置,集电结反偏置

考题 多选题对PILOT_INC设置说明正确的是()。A如果设置过高,则可用的PN偏置将减少,PN偏置的重用距离将减小,从而可能引起同PN干扰B如果设置太小(设置为1,总共有512个可用PN偏置),则容易发生邻PN干扰C如果设置过高,则可用的PN偏置将减少,PN偏置的重用距离将减小,从而可能引起邻PN干扰D如果设置太小(设置为1,总共有512个可用PN偏置),则容易发生同PN干扰

考题 单选题关于PIN和APD的偏置电压表述,正确的是()。A 均为正向偏置B 均为反向偏置C 前者正偏,后者反偏D 前者反偏,后者正偏

考题 问答题什么是正向偏置和反向偏置?二极管在正向偏置和反向偏置时分别为什么状态?

考题 单选题某个面上有一条样条曲线,现在需要将该样条曲线在面轮廓内按距离偏置,应该使用如下的哪个命令()A 面内偏置B 面偏置C 偏置→曲线沿面D 编辑→变形→面样条线

考题 单选题当三极管工作于放大状态时,它的()。A 发射结和集电结都处于正偏置B 发射结和集电结都处于反偏置C 发射结处于反偏置,集电结处于正偏置D 发射结处于正偏置,集电结处于反偏置

考题 单选题无论是PNP型还是NPN型三极管,工作在放大状态时其条件是()A 发射结正向偏置,集电结反向偏置B 发射结反向偏置,集电结正向偏置C 发射结正向偏置,集电结正向偏置D 发射结反向偏置,集电结反向偏置

考题 单选题()工具可以将草图曲线按一定的距离向指定方向偏置复制出一条新的曲线,偏置对象为封闭的草图元素则将曲线元素放大或缩小。A 镜像曲线B 投影曲线C 偏置曲线D 添加现有曲线

考题 单选题某个面上有一条样条线,现需要将该样条线在面轮廓内按距离偏置,应该使用如下哪个命令()A 面内偏置B 面偏置C 偏置-曲线沿面D 编辑-变形-面样条线

考题 填空题在使用偏置面(Offset Face)和偏置曲面(Offset Surface)功能无法完成对面的偏置操作时,可以使用()命令大致偏置一个距离,从而创建一个没有自相交、锐边或拐角的偏置片体。

考题 单选题所谓三极管工作在倒置状态,是指三极管()。A 发射结正偏置,集电结反偏置B 发射结正偏置,集电结正偏置C 发射结反偏置,集电结正偏置D 发射结反偏置,集电结反偏置