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填空题
当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而（）。但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而（），这称为（）效应。

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考题 晶体管工作在放大区时,集电结处于()。 A、正向偏置B、反向偏置C、正偏或反偏D、不能确定
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考题 BJT工作在放大区的工作条件是:()。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
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考题 共发射极电路实现放大的条件?_________ A.晶体管必须工作在放大区。发射结正偏，集电结反偏B.正确设置静态工作点，使晶体管工作于放大区C.输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流D.输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压，经电容耦合只输出交流信号
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考题 三极管工作在放大区的条件是()。 A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结反偏
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考题 无论是采用哪一种连接方式，也无论是采用NPN型管还是PNP型管，要使三极管具有放大作用，都必须保证（）。A、发射极正偏、集电极反偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射极正偏、集电极反偏D、发射结反偏、集电结正偏
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考题 三极管放大的外部条件是（）。A、发射极正偏，集电极反偏B、发射极反偏，集电极正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
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考题 要使三极管具有放大作用，都必须保证（）A、岁发射结正偏、集电结反偏B、发射结反偏、集电结正偏C、发射极正偏、集电极反偏D、集电极反偏、集电极正偏
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考题 若三极管的集电结反偏、发射结正偏，则当基极电流减少时，使该三极管（）A、集电极电流减小B、集电极与发射极电压VCE上升C、集电极电流要增大D、集电极电流不变
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考题 晶体管工作在放大区时，各极电压为（）A、集电结正偏，发射结反偏B、集电结反偏，发射集正偏C、集电结，发射结均反偏D、集电结，发射结均正偏
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考题 晶体管能够放大的外部条件是（）。A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结正偏，集电结反偏
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考题 晶体管处于截止状态时，发射结和集电结的偏置情况是（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结反偏C、发射结、集电结均上偏D、发射结正、集电结反偏
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考题 晶体管工作在饱和区时，发射结（），集电结（）；工作在放大区时，集电结（），发射结（）。（填写a正偏，b反偏，c零偏）
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考题 晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结、集电结均正偏D、发射结正偏、集电结反偏
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考题 如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（）。A、集电极电流减小B、集电极电压Uc上升C、集电极电流增大
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考题 三极管放大区的条件为（）。A、射结正偏，集电结反偏B、射结反偏或零偏，集电结反偏C、射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏
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考题 晶体三级管电流放大的偏置条件是（）。A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结正偏，集电结正偏
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考题 填空题当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（），使基区宽度（），从而使集电极电流（），这就是基区宽度调变效应（）。
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考题 单选题处于截止状态的晶体管，其工作状态为（）。A 发射结正偏，集电结正偏B 发射结反偏，集电结反偏C 发射结正偏，集电结反偏D 发射结反偏，集电结正偏
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考题 单选题三极管放大的外部条件是（）。A 发射极正偏，集电极反偏B 发射极反偏，集电极正偏C 发射结正偏，集电结反偏D 发射结反偏，集电结正偏
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考题 单选题若使晶体管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）。A 发射结正偏，集电结正偏B 发射结反偏，集电结反偏C 发射结正偏，集电结反偏D 发射结反偏，集电结正偏
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