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单选题
晶体管工作在放大区时，各极电压为（）
A

集电结正偏，发射结反偏

B

集电结反偏，发射集正偏

C

集电结，发射结均反偏

D

集电结，发射结均正偏

参考答案

参考解析
解析： 暂无解析
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考题 当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uCuBuE。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型(指NPN型还是PNP型),以测出()最为方便。A、各极间电阻B、各极对地电位C、各极电流D、各极间的电压
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考题 共发射极电路实现放大的条件?_________ A.晶体管必须工作在放大区。发射结正偏，集电结反偏B.正确设置静态工作点，使晶体管工作于放大区C.输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流D.输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压，经电容耦合只输出交流信号
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考题 无论是哪种类型的晶体管,当工作于放大区时,B极电位总是高于E极电位,C极电位也总是高于B极电位。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极（ ）之间相互关系的，它反映晶体管的性能，是分析放大电路的重要依据。A.电压和电流 B.电压和电阻 C.电流和电阻 D.电压和电感
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考题 NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射极电压与发射极电流的关系为（　　）。
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考题 晶体管在放大区工作时基极静态工作电流为（）。A、IB＝0B、IB0C、IB0
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考题 晶体管工作在放大区时，各极电压为（）A、集电结正偏，发射结反偏B、集电结反偏，发射集正偏C、集电结，发射结均反偏D、集电结，发射结均正偏
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考题 双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制
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考题 双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。A、电压B、电流C、双极型为电压、场效应为电流D、双极型为电流、场效应为电压
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考题 单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时，晶体管就导通。
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考题 NPN型晶体管处于放大状态时，各极电压关系是（）。A、UC＞UE＞UBB、UC＞UB＞UEC、UC＜UB＜UED、UC＜UE＜UB
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考题 晶体三极管工作在放大区时，发射结电压（）偏，集电结电压（）偏。
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考题 晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管（）。A、发射结为反向偏置B、集电结为正向偏置C、始终工作在放大区
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考题 欲使晶体管工作在放大区，则外电路所加电压必须使晶体管的发射结（）偏，同时使集电结（）偏。
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考题 当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC（）uB（）uE。
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考题 三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极（）和（）之间相互关系的，它反映晶体管的性能。A、电压；电流B、电压；电阻C、电流；电阻D、电感；电阻
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考题 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结（）、集电结（）。
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考题 双极型晶体管（BJT）放大偏置时，应在其发射结加（）电压，在集电结加（）电压。
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考题 双极型晶体管工作在放大区偏置条件是（）增强型N沟道的场效应管工作在放大区的偏置条件是（）。
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考题 双极型三极管是（）控制器件，当其工作在放大区时发射极需要加（）偏置电压，集电极需要加（）偏置电压；场效应管是（）控制器件。
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考题 用万用表判断放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（NPN或PNP）与三个电极时，最为方便的测试方法为（）A、测试各极间电阻B、测试各极间、对地电压C、测试各极电流
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考题 根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB=-6.3v，VE=-7v，VC=-4v，可以判定此晶体管是（）管，处于（）。A、NPN管，饱和区B、PNP管，放大区C、PNP管，截止区D、NPN管，放大区
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考题 双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制
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考题 单选题三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极（）和（）之间相互关系的，它反映晶体管的性能。A 电压；电流B 电压；电阻C 电流；电阻D 电感；电阻
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