考题
在放大电路中，若测得某晶体管三个电极的电位分别为7V，1.2V，1V，则该管为：（）。A.NPN型硅管
B.PNP型硅管
C.NPN型锗管
D.PNP型锗管
考题
晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。ANPN型晶体管；BPNP型晶体管；C硅管；D锗管。
考题
由空穴参与导电并形成电流的硅晶体称为（）硅晶体。A、“M”型B、“N”型C、“L”型D、“P”型E、“F”型
考题
物质材料中属于晶体材料的有（）。A、硅B、硼C、锗D、磷
考题
纯净的硅或锗中掺入少量三价元素电阻率会急剧上升。
考题
由自由电子参与导电并形成电流的硅晶体称为（）硅晶体。A、“M”型B、“N”型C、“L”型D、“P”型E、“F”型
考题
测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5、3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型
考题
中晶体硅或锗中，参与导电的是（）A、离子B、自由电子C、空穴D、B和C
考题
在硅（或锗）本征半导体中掺入微量的（）元素，就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体，即n型半导体。A、三价B、四价C、五价
考题
国产晶体管2CW表示（）。A、N型硅材料微波管B、P型锗材料稳压管C、N型硅材料稳压管D、P型锗材料微波管
考题
锗的本征导电能力比硅高（）。A、10倍B、100倍C、1000倍D、10000倍
考题
半导体锗和硅都是晶体结构，所以半导体管又称为晶体管。
考题
晶体管符号中，箭头朝内者，表示它是（）。A、硅管；B、锗管；C、NPN管；D、PNP管。
考题
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、NPN型硅管D、PNP型硅管
考题
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、0V，则该管为（）A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
考题
晶体管的PN结的正向压降为（）。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
考题
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为UE＝6V，UB=5.3V，UC=0V，则该管为（）。A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
考题
晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。A、NPN型晶体管；B、PNP型晶体管；C、硅管；D、锗管。
考题
单选题由自由电子参与导电并形成电流的硅晶体称为（）硅晶体。A
“M”型B
“N”型C
“L”型D
“P”型E
“F”型
考题
单选题中晶体硅或锗中，参与导电的是（）A
离子B
自由电子C
空穴D
B和C
考题
单选题晶体三极管3DG12的材料和极性是（）A
PNP型，锗材料B
NPN型，锗材料C
PNP型，硅材料D
NPN型，硅材料
考题
单选题晶体管符号中，箭头朝外者，表示它是（）。A
硅管B
锗管C
NPN管D
PNP管
考题
单选题由空穴参与导电并形成电流的硅晶体称为（）硅晶体。A
“M”型B
“N”型C
“L”型D
“P”型E
“F”型
考题
单选题晶体硅或锗中，参与导电的是（）。A
离子B
自由电子C
空穴D
B和C
考题
判断题硅和锗半导体材料都是晶体结构。A
对B
错
考题
问答题试述半导体材料硅（锗）是如何形成晶体结合的，它们的键有些什么特点？
考题
单选题测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A
硅PNP型B
硅NPN型C
锗PNP型D
锗NPN型
