考题
硅管比锗管受温度影响()。
A.较大B.较小C.相同
考题
有一些物体，其导电性能介于导体和绝缘体之间(如硅、锗、硒等材料)，这种物体称为()。
考题
N型半导体是在本征硅或锗中掺入()价元素而得到的。
A.1B.3C.5D.7
考题
材料是单晶锗和单晶硅的半导体称为本征半导体。（）
考题
导体具有良好的导电特性，导体的电阻率很小，如铜、铝、（）等属于导体。A.陶瓷
B.硅
C.锗
D.银
考题
硅管比锗管受温度影响（）。A、较大B、较小C、相同
考题
中晶体硅或锗中，参与导电的是（）A、离子B、自由电子C、空穴D、B和C
考题
锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。
考题
在硅（或锗）本征半导体中掺入微量的（）元素，就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体，即n型半导体。A、三价B、四价C、五价
考题
N型半导体是在本征硅或锗中掺入（）价元素而得到的。A、1B、3C、5D、7
考题
半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间，硅和锗是最重要的两种半导体材料。
考题
要得到N型杂质半导体，应在本征半导体硅或锗中掺入少量的（）A、三价元素B、四价元素C、五价元素D、六价元素
考题
硅管的导通电压比锗管大，反向电流比锗管（），温度稳定性比锗管（）。
考题
P型半导体是在本征半导体（硅、锗；四价）中加入微量的（）构成的。A、三价（硼）B、四价C、五价（磷）D、六价
考题
P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的。A、硅元B、锗元素C、三价硼元素D、五价锑元素
考题
锗管的PN结的允许温度比硅管PN结温度（）。A、高B、低C、相等D、不定
考题
导电性能介于导体和绝缘体之间的物质如硅（Si）、锗（Ge）等称为（）。A、固体B、绝缘体C、导体D、半导体。
考题
硅二极管反向导通电流一般（）。A、为0B、比锗管小C、比锗管大D、比砷化镓二极管小
考题
单选题在硅（或锗）本征半导体中掺入微量的（）元素，就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体，即n型半导体。A
三价B
四价C
五价
考题
判断题锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。A
对B
错
考题
单选题中晶体硅或锗中，参与导电的是（）A
离子B
自由电子C
空穴D
B和C
考题
单选题晶体硅或锗中，参与导电的是（）。A
离子B
自由电子C
空穴D
B和C
考题
单选题N型半导体是在本征硅或锗中掺入（）价元素而得到的。A
1B
3C
5D
7
